Восстановитель импульсных сигналов

  • Просмотров 1472
  • Скачиваний 43
  • Размер файла 24
    Кб

Восстановитель импульсных сигналов Шабронов Андрей Анатольевич Задача по увеличению длинны линии и восстановлению сигналов для 1-проводной шины микросхем датчиков температур ds1820 фирмы Dallas Semiconduktorа решается с помощью довольно таки простой схемы, представленной ниже. Восстановление, 'затянутого' емкостью кабеля, сигнала перехода из 0 в 1 осуществляется путем кратковременного открытия транзистора Т1. Начало открытия

определяется порогом включения Т2, а закрытие - временем заряда С1. В разряженном состоянии С1 имеет как бы минимальное сопротивление и минусовое напряжение с общей шины поступает на базу Т1, который и открывается, так как он структуры P-N-P. Как только C1 максимально зарядится, его сопротивление максимально возрастет и транзистор Т1 закроется из-за базового сопротивления R3. И пока транзистор открыт он 'подтягивает' фронт импульса к

логической 1 и таким образом восстанавливает сигнал. Разряд С1 для восстановления очередного фронта сигнала, осуществляется во время закрытия Т2 через сопротивление R2 в цепи его коллектора. Фронт сигнала из 1 в 0 восстанавливать обычно не требуется, поскольку он формируется, достаточно сильноточными ключами ИМС DS1820 и адаптерами сопряжения с ПЭВМ стыка RS-232. В случае необходимости, схема восстановления для перехода импульса из 1 в

0 выполняется полностью аналогично, но в 'зеркальном' виде. Транзисторы меняются структурой. Включение вывода эммитера входного ключа осуществляется соответственно к плюсовой шине, а выходного ключа - к общей. Сопротивления и емкости остаются прежние. Схема восстановления требует питанию +5 вольт. Для возможной работы по 2-х проводной цепи установлен диод Д1, который подзаряжает накопительный конденсатор С2 во время передачи по

ШД напряжения +5 вольт. В этом случае может потребоваться программно увеличить время состояния шины в напряжении +5 вольт путем уменьшения передаваемых сигналов управления, т.е. сигналы 0 передавать пореже. Характеристики большинства современных маломощных транзисторов подходят для работы в схеме. Не рекомендуется использовать во входном ключе транзисторы германиевой структуры, поскольку их напряжение включения около + 0.5