Усилитель вертикального отклонения — страница 7

  • Просмотров 3919
  • Скачиваний 323
  • Размер файла 30
    Кб

мА/В. Внутренняя (физическая) крутизна транзистора: (21) S = 789 мА/В. Емкость коллекторного перехода транзистора в р.т.: (22) где Сk0 – значение емкости коллекторного перехода при Uke= Uke0; Uke0 – напряжение коллектор-эмиттер; Uke – напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке. Сk0 = 10,3 пФ, Uke0 = 1 В – значения берем из технической документации на транзистор (см. прил.2.); Uke = Uke2р = 42 В – рассчитано в п.4.4.4; Сk = 1,59 пФ. Частота единичного усиления

транзистора: fТ = 90 МГц – берем из технической документации (см. прил.2) (23) Из формулы следует, что τТ = 1,769 нс. Граничная частота коэффициента передачи тока базы: (24) fß = 3,46 МГц. τß= 46 нс. Диффузионная емкость эмиттера: . (25) Cbe = 2,12 нФ. Граничная частота крутизны транзистора: (26) где fs = 160 МГц. Граничная частота передачи тока эмиттера: Рассчитаем параметры rb re, Si, S, H61e, H62e, Ck, tb, tT транзисторов VT3, VT4 (2sc3597). Входное сопротивление

рассчитывается по формуле (18): H61e = 76,5 Ом. Сопротивление базы: rb = 10 Ом – берем из справочных данных на транзистор (см. прил.3.). Сопротивление эмиттера рассчитывается по формуле (19): = 26 мВ Iep= Ik1p = 30 мА, re = 0,867 Ом. Крутизна прямой передаточной характеристики рассчитывается по формуле (20): Si = 1200 мА/В. Внутренняя (физическая) крутизна транзистора рассчитывается по формуле (21): ß = 110 – берем из технических характеристик транзистора (см.

прил.3) S = 1035мА/В. Внутреннее сопротивление транзистора ОЭ при управлении от идеального источника напряжения (внутреннее сопротивление источника Rg = 0) , (27) где rk* - сопротивление коллекторного перехода в схеме ОЭ, Ом Ua – напряжение Эрли, обусловленное крутизной транзистора, В. Ua = 80,7 В – значение получено при создании SPICE-модели транзистора; Ikр = Ik1р = 30 мА – рассчитано в п.4.4.4. rk* = 2,69 кОм. Отсюда получаем значение: h22e = 0,37 мА/В. Внутренняя

проводимость транзистора в каскаде ОЭ при управлении от источника напряжения с ненулевым внутренним сопротивлением (): , (28) где Rg – сопротивление генератора. Rg = 51 Ом -задаем низкое выходное сопротивление предшествующего каскада; gig = 0,15 мА/В. Емкость коллекторного перехода транзистора в р.т. рассчитываем по формуле (22): Сk0 = 14,57 пФ, Uke0 = 0,6 В – значения берем из технической документации на транзистор (см. прил.3.); Uke = Uke1р = 5 В –

рассчитано в п.4.4.4; Сk = 5,05 пФ. Частота единичного усиления транзистора: fТ = 800 МГц – берем из технической документации (см. прил.3) Из формулы (23) следует, что τТ = 200 пс. Граничная частота коэффициента передачи тока базы рассчитывается по формуле (24): fß = 7,27 МГц. Из формулы (24) следует: τß= 21 нс. Диффузионная емкость эмиттера рассчитывается по формуле (25): Cbe = 218 пФ. Граничная частота крутизны транзистора рассчитывается по формуле