Усилитель вертикального отклонения — страница 6

  • Просмотров 3778
  • Скачиваний 322
  • Размер файла 30
    Кб

коллектора, кОм; Uпл max – максимальное напряжение одного плеча ДК, В; Iвых max – максимальный выходной ток, определяемый максимальным коллекторным током транзисторов, мА. Uпл max = 120 В – значение рассчитано в п. 4.4.1; Iвых max = 65 мА – берем из технической документации на транзисторы в приложениях 2 и 3 с 35%-м запасом. Rk > 1,84 кОм. Выберем значение 1,87 кОм из ряда номинальных значений E96. R2 = R3 = 1,87 кОм. 4.4.4. Задание рабочих точек транзисторов.

Рассчитаем ток коллектора Iк2р транзисторов VT1 и VT2 в рабочей точке из условия: , (13) где Iкр – ток коллектора в рабочей точки транзисторов VT1 и VT2, мА; Iвых max – максимальный ток коллектора транзисторов VT1 и VT2, мА; ΔIкдоп – допустимое изменение тока рабочей точки от дестабилизирующих факторов, в т.ч. от температуры, мА. Iвых max = 65 мА; ΔIкдоп = 0,0001 мА – берем из технической документации на транзистор BF257, представленной в прил.2; Iк2р > 32

мА. Выберем Iк2р = 30 мА. Рассчитаем напряжение коллектор-эмиттер Uke2р транзисторов VT3 и VT4 в рабочей точке из условия: , (14) Uke max = Uпл max = 120 В – рассчитано в п.4.4.1; Uke2р < 60 В. Выберем Uke2р = 42 В. Вычислим ток коллектора Iк1р транзисторов VT3 и VT4 в рабочей точке из условия: Iк1р = Iк2р/α2 = Iк2р (1+ß2)/ß2 , (15) где ß2 – коэффициент передачи тока базы транзисторов VT1 и VT2. Iк2р = 32 мА; ß2 = 25 – берем из технической документации на транзистор BF257,

представленной в прил.2; Iк1р = 31,2 мА. Зададим постоянное напряжение Eb1 на базе транзисторов VT3 и VT4 исходя из предполагаемой схемы предшествующего каскада: Eb1 = 0 В. Выберем постоянное напряжение Eb2 на базе транзисторов VT1 и VT2, обеспечивающее паспортный режим транзисторов VT3 и VT4: Eb2 = 5 В. Рассчитаем напряжение коллектор-эмиттер Uke1 транзисторов VT3 и VT4 по формуле: Uke1 = Eb2 - Eb1 (16) Uke1 = 5 В. 4.4.5. Расчет напряжения между шиной питания и эмиттером

транзисторов VT3, VT4. Рассчитаем напряжение E*k по формуле: , (17) где E*k – напряжение между шиной питания и эмиттером транзисторов, В; Uke1р = 5 В – рассчитано в п.4.4.4; Uke2р = 42 В – рассчитано в п.4.4.4; Rk = 1,87 кОм – рассчитано в п. 4.4.3; Ik2р = 30 мА – рассчитано в п. 4.4.4; E*k = 101 В. 4.4.6. Расчет параметров транзисторов. Рассчитаем параметры rb re, Si, S, H61e, H62e, Ck, tb, tT транзисторов VT1, VT2 (BF257). Входное сопротивление рассчитывается по формуле: (18) где rb - объемное

сопротивление базы, Ом; rbe - сопротивление внутренняя база - эмиттер, Ом; re - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода, Ом. H61e = 227,8 Ом. Сопротивление базы: rb = 10 Ом – берем из справочных данных на транзистор (см. прил.2.). Сопротивление эмиттера рассчитывается по формуле: (19) Где - температурный потенциал, мВ; Iep- ток эмиттера в рабочей точке, мА. = 26 мВ Iep= Ik1p = 31,2 мА, re = 0,833 Ом. Крутизна прямой передаточной характеристики: (20) Si = 1154