Усилитель систем контроля радиовещательных станций — страница 5

  • Просмотров 2039
  • Скачиваний 190
  • Размер файла 450
    Кб

себя ряд элементов с сосредоточенными параметрами. Существует много разных моделей транзистора. В данной работе произведён расчёт моделей: схемы Джиаколетто, которая представлена на рисунке 3.3.5 и однонаправленной модели цепи на ВЧ. А) Расчёт схемы Джиаколетто: Схема Джокалетто представлена на рисунке 3.3.5. Рисунок 3.3.5 Схема Джиаколетто. Расчитаем элементы схемы, воспользовавшись справочными данными и приведенными ниже

формулами. Найдем при помощи постоянной времени цепи обратной связи сопротивление базового перехода по формуле: (3.10) При чём и доложны быть измерены при одном напряжении Uкэ. А так как справочные данные приведены при разных значениях напряжний, то необходимо воспользоваться формулой перехода, которая позволяет вычислить при любом значении напряжения Uкэ: (3.11) В нашем случае получаем: Подставим полученное значение в формулу:

(Сим) (3.12) Проводимость база-эмиттер расчитаем по формуле: (2.11) где, – сопротивление эмиттеного перехода транзистора. Тогда Емкость эмиттерного перехода: Выходное сопртивление транзистора: (3.13) Из формулы (3.13) найдем проводимость: (3.14) Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ найдем по формуле: Крутизну транзистора определим по формуле:(3.15) Подставляя численные значения получим: Б) Расчёт однонаправленной модели на ВЧ:

Однонаправленная модель является эквивалентной схемой замещения транзистора, так же как и схема Джиаколетто. Схема представляет собой высокочастотную модель, которая изображена на рисунке 3.3.6. Полное описание однонаправленной модели можно найти в [4]. Рисунок 3.3.6 Параметры эквивалентной схемы рассчитываем по приведённым ниже формулам. Входная индуктивность: , где Входное сопротивление равно сопротивлению базы в схеме

Джиаколетто: Выходное сопротивление имеет значение: Выходная ёмкость имеет значение: 3.3.4 Расчёт цепей термостабилизации Выбор схемы обеспечения исходного режима транзисторного каскада тесным образом связан с температурной стабилизацией положения рабочей точки [5]. Это объясняется тем, что ВАХ транзисторов зависят от температуры р-n переходов и, следовательно от температуры окружающей среды. Это приводит к смещению

статических характеристик, чем обуславливается не только изменения усилительных параметров транзистора в рабочей точке, но и приводит к перемещению рабочей точки, что приводит к изменению усилительных параметров. При расчёте цепей термостабилизации нужно для начала выбрать вариант схемы. Существует несколько вариантов схем термостабилизации: эмиттерная стабилизация, коллекторная стабилизация и активная коллекторная