Усилитель широкополосный — страница 7

нагрузки по сигналу. 5) Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора равна (4.6) 4.2 Выбор транзистора для промежуточного каскада Найдем необходимые предельные характеристики транзистора: 1) (4.7) 2) (4.8) 3) (4.9) 4) (4.10) где из технического задания. Т.к. все необходимые предельные параметры, кроме граничной частоты, значительно меньше аналогичных справочных значений для маломощных транзисторов, то при выборе транзистора основным

критерием будет граничная частота (fT). По необходимым предельным характеристикам был выбран транзистор KT316А. Ниже перечислены характеристики транзистора: Это кремниевый эпитаксиально - планарный n-p-n переключательный маломощный и СВЧ усилительный с ненормированным коэффициентом шума транзистор. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Основные параметры транзистора: 1) Граничная частота коэффициента

передачи по току в схеме с ОЭ: fГ =1000 МГц; 2) Постоянная времени цепи обратной связи: τс=50пс; 3) Емкость коллекторного перехода при Uкб=5В: Ск=2пФ; 4) Емкость эмиттерного перехода: Cэ=1,2пФ; 5) Максимально допустимое напряжение на переходе К-Э: Uкэ max=10 В; 6) Максимально допустимый ток коллектора: Iк max = 50 мА; 7) Максимально допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе: Pк мах = 150 мВт . Выберем следующие параметры рабочей точки: Т.к.

транзистор хорошо работает только начиная с 5В то примем и 4.3 Расчёт эквивалентных схем замещения Эквивалентная схема биполярного транзистора изображена на рисунке 4.1. При использовании транзисторов до (0,2 - 0,3)fт возможно применение упрощенных эквивалентных моделей транзисторов, параметры элементов эквивалентных схем которых легко определяются на основе справочных данных. Рисунок 4.1- Эквивалентная схема биполярного

транзистора (схема Джиаколетто) 1) (4.11) 2) Rб =τс/Ск=50пс/2пФ=25Ом; (4.12) gб == 40мCм, (4.13) где Rб- сопротивление базы. 3) rэ== (4.14) где Iк0 в мА; rэ - сопротивление эмиттера. 4) gбэ= (4.15) где gбэ- проводимость база-эмиттер; - справочное значение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером. 5) Cэ=(4.16) где Cэ - ёмкость эмиттера; fт - справочное значение граничной частоты транзистора. 6) Ri = (4.17) где Ri - выходное сопротивление транзистора;

Uкэ0(доп), Iк0(доп) - соответственно паспортные значения допустимого напряжения на коллекторе и постоянной составляющей тока коллектора. 4.4 Расчёт эмиттерной термостабилизации Т.к. режим работы транзистора малосигнальный, то применим эмиттерную термостабилизацию. Эмиттерная термостабилизация широко используется в маломощных каскадах, так как потери мощности в ней при этом не значительны и её простота исполнения вполне их