Усилитель промежуточной частоты

Кафедра КПРА Курсовая работа по курсу: “Технологические процессы микроэлектроники” На тему: ”Усилитель промежуточной частоты” Выполнил ст. гр. 952 Проверил: Рязань 2002 Содержание TOC o "1-3" h z Кафедра КПРА.. PAGEREF _Toc515338345 h 1 Рязань 2001. PAGEREF _Toc515338346 h 1 Содержание. PAGEREF _Toc515338347 h 2 Исходные данные:. PAGEREF _Toc515338348 h 3 Введение. PAGEREF _Toc515338349 h 4 Анализ технического задания. PAGEREF _Toc515338350 h 5 Разработка топологии. PAGEREF _Toc515338351 h 6 Резисторы. PAGEREF

_Toc515338352 h 6 Конденсаторы.. PAGEREF _Toc515338353 h 11 Заключение…………………………………………………………………………………………….16 Список литературы.. PAGEREF _Toc515338357 h 17 Рис. 1 Усилитель промежуточной частоты. Схема электрическая принципиальная №17 Исходные данные: Номиналы R1, R10 – Резистор 12.0 kОМ 2шт; C1, C4 – Конденсатор 0.03 мкФ 2шт R2 – Резистор 7.5 kОМ 1шт; С2, С5 – Конденсатор 6800 рФ 2шт R3 – Резистор 5.0 kОМ 1шт; С3, С6 – Конденсатор 1500 рФ 2шт R4, R7 – Резистор 15.0 kОМ 2шт; R5

– Резистор 2.0 kОМ 1шт; VT1, VT2 – Транзистор КТ324В 2шт R6 – Резистор 510 ОМ 1шт; (СБО.336.031 ТУ) R8 – Резистор 0.34 kОМ 1шт; R9 – Резистор 2.8 kОМ 1шт; ТР1 – Трансформатор ВЧ. 1шт Плату следует изготовить методом фотополитографии. Эксплуатационные требования: Тр = -150 +400С, tэ = 1000 ч., корпус, серия К151,159. Введение Постоянной тенденцией в радиоэлектронике является уменьшение габаритов и масс аппаратуры, повышение ее надежности. До появления интегральных

микросхем этот процесс протекал в направлении миниатюризации отдельных элементов. Следующим шагом в миниатюризации было создание техники интегральных микросхем. Этот этап принципиально отличался от предыдущих тем, что в нем аппаратура собирается не из отдельных элементов или модулей, а из функциональных схем, образованных в едином технологическом процессе производства. Основными разновидностями технологии микросхем

являются: пленочная, полупроводниковая и смешанная. В пленочной технологии интегральная микросхема образуется нанесением на диэлектрическую подложку в определенной последовательности пленок из соответствующих материалов. Изготовленные таким образом микросхемы называются пленочными интегральными микросхемами (ПИМС). Разновидностью ПИМС являются гибридные интегральные микросхемы (ГИМС), у которых часть элементов,