Усилитель мощности для 1-12 каналов TV — страница 5

  • Просмотров 2362
  • Скачиваний 165
  • Размер файла 300
    Кб

остальных элементов схемы: (2.11) – сопротивление эмиттеного перехода транзистора Тогда Емкость эмиттерного перехода: Выходное сопртивление транзистора: (2.12) (2.13) Б) Расчёт однонаправленной модели на ВЧ: Схема однонаправленной модели на ВЧ представлена на рисунке 3.3.8 Описание такой модели можно найти в [3]. Рисунок 3.3.8 однонаправленная модель транзистора Параметры эквивалентной схемы рассчитываются по приведённым ниже формулам.

Входная индуктивность: , где Входное сопротивление: (3.3.4) Выходное сопротивление имеет такое же значение, как и в схеме Джиаколетто: . Выходная ёмкость- это значение ёмкости вычисленное в рабочей точке: 3.3.4 Расчёт цепей термостабилизации При расчёте цепей термостабилизации нужно для начала выбрать вариант схемы. Существует несколько вариантов схем термостабилизации: пассивная коллекторная, активная коллекторная и эмиттерная.

Их использование зависит от мощности каскада и от того, насколько жёсткие требования к термостабильности. Рассмотрим эти схемы. 3.3.4.1 Эмиттерная термостабилизация Эмитерная стабилизация применяется в основном в маломощных каскадах и является достачно простой в расчёте и при этом эффективной. Схема эмиттерной термостабилизации приведена на рисунке 3.3.9. Метод расчёта и анализа эмиттерной термостабилизации подробно описан в

[4]. Рисунок 3.3.9 эммитерная термостабилизация Расчёт производится по следующей схеме: 1.Выбираются напряжение эмиттера и ток делителя 2. Затем рассчитываются Напряжение эмиттера выбирается равным выбирается равным : А Учитывая то, что в коллекторной цепи отсутствует резистор, то напряжение питания рассчитывается по формуле Ом; Ом; Ом; 3.3.4.2 Активная коллекторная термостабилизация Активная коллекторная термостабилизация

используется в мощных каскадах и является достаточно эффективной, её схема представлена на рисунке 3.3.10. Её описание и расчёт можно найти в [5]. Рисунок 3.3.10 Схема активной коллекторной термостабилизации. В качестве VT1 возьмём КТ814А. Выбираем падение напряжения на резисторе из условия ; (3.3.11) ; (3.3.12) ; (3.3.13) ; (3.3.14) , (3.3.15) где – статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ транзистора КТ814; (3.3.16) ; (3.3.17) . (3.3.18) Получаем следующие

значения: Ом; мА; В; А; Ом; Ом. Величина индуктивности дросселя выбирается таким образом, чтобы переменная составляющая тока не заземлялась через источник питания, а величина блокировочной ёмкости – таким образом, чтобы коллектор транзистора VT1 по переменному току был заземлён. 3.3.4.3 Пассивная коллекторная термостабилизация Наиболее экономичной и простейшей из всех схем термостабилизации является коллекторная стабилизация.