Усилитель кабельных систем связи — страница 4

  • Просмотров 1665
  • Скачиваний 184
  • Размер файла 408
    Кб

rб-сопротивление базы, rэ== Iк0 в мА, rэ-сопротивление эмитера. gбэ=, где gбэ-проводимость база-эмитер, Cэ=, где Cэ-ёмкость эмитера, fт-справочное значение граничной частоты транзистора при которой Ri= Ом), где Ri-выходное сопротивление транзистора, Uкэ0(доп), Iк0(доп)-соответственно паспортные значения допустимого напряжения на коллекторе и постоянной составляющей тока коллектора. gi=0.01(См). 2.2.2.2Расчёт однонаправленной модели транзистора.

Данная модель применяется в области высоких частот [4]. Рисунок 2.2.2.2.1- Однонаправленная модель транзистора. Lвх= Lб+Lэ=1+0,183=1,183 (нГн), где Lб,Lэ-справочные значения индуктивностей базового и эмитерного выводов соответственно, Lвх-индуктивность входа транзистора. Rвх=rб=2,875 (Ом), где Rвх-входное сопротивление транзистора. Rвых=Ri=100 (Ом), где Rвых-выходное сопротивление транзистора. Свых=Ск(треб)=2,26 (пФ), где Свых-выходная ёмкость транзистора.

fmax=fт=5 (ГГц), где fmax-граничная частота транзистора. 2.2.3 Расчёт и выбор схемы термостабилизации. 2.2.3.1 Эмитерная термостабилизация. Эмитерная термостабилизация широко используется в маломощных каскадах, так как потери мощности в ней при этом не значительны и её простота исполнения вполне их компенсирует, а также она хорошо стабилизирует ток коллектора в широком диапазоне температур при напряжении на эмиттере более 3В [3 Рисунок

2.2.3.1.1-Схема каскада с эмитерной термостабилизацией. Рассчитаем параметры элементов данной схемы. Возьмём напряжение на эмиттере равным Uэ=4 (В); Eп=Uкэ0+Uэ=9 (В); Сопротивление в цепи эмитера будет равно: Rэ== Rб1=Iд=10×Iб, Iб=Iд=10×=10×, где Rб1-сопротивление базового делителя, Iд-ток базового делителя, Iб-ток базы. Rб1=; Rб2==391,6 (Ом). Наряду с эмитерной термостабилизацией используются пассивная и активная коллекторная термостабилизации.

2.2.3.2 Пассивная коллекторная: Рисунок 2.2.3.2.1- Схема пассивной коллекторной термостабилизации. С использованием [3]. Rк=50 (Ом); URк=Iк0×Rк=3,3 (В), где URк-падение напряжения на Rк. Eп=Uкэ0+URк=8,3 (В); Iд=0,012 (А); Rб==360 (Ом). Ток базы определяется Rб. При увеличении тока коллектора напряжение в точке А падает и следовательно уменьшается ток базы, а это не даёт увеличиваться дальше току коллектора. Но чтобы стал изменяться ток базы, напряжение в точке А

должно измениться на 10-20%, то есть Rк должно быть очень велико, что оправдывается только в маломощных каскадах. Но в силу того, что мы будем применять перекрёстные обратные связи, данная схема нам не подходит. 2.2.3.3 Активная коллекторная термостабилизация. Можно сделать чтобы Rб зависило от напряжения в точке А см. рис.(2.2.3.2.1). Получим что при незначительном уменьшении (увеличении) тока коллектора значительно увеличится (уменьшится)