Травление пп ИМС — страница 5

  • Просмотров 5520
  • Скачиваний 273
  • Размер файла 20
    Кб

конструкция, обеспечивающая получение плазмы высокой плотности. Использование систем типа ICP реакторов с ВЧ генераторами с мощность от 0,5 до 2 кВт позволяет создать вблизи поверхности подложки плотность ионов от 3*1010 до 3*1012 см-3 . Рабочее давление влияет на скорость изотропность и однородность травления через изменение длины свободного пробега ионов. Высокое давление увиличивает однородность процесса, но приводит к

изотропному травлению и снижению величины скорости процесса. Понижение давления улучшает разрешение процесса за счет усиления анизотропии процесса, увеличивает скорость травления, но увеличивает число радиационных повреждений в микроструктурах. В современных системах оптимальное давление лежит в пределах от 0,2 – 50 мТор. Рис. 7 схема типичной конструкции ICP реактора Сильное влияние на скорость травления оказывает

правильный выбор реактивного газа или смеси газов. Однако подбор оптимальной газовой среды определяется не только производительностью процесса, но и достижением высокой селективности травления. В зависимости от конструкции микроструктуры и следовательно комбинации ее материалов скорости травления могут изменяться от 600 до 2000 A/мин. Селективность. Селективность определяется через отношение скоростей травления различных

пар материалов, входящих в состав микроструктуры. При проведении процесса травления ключевым моментом является оптимальная остановка процесса и отсутствие такого нежелательного явления как перетрав (overeth), заключающийся в травлении нижележащего слоя.. В идеале время травления можно рассчитать, зная толщину удаляемого слоя и скорость травления материала в заданных условиях. Однако на практике всегда присутствую такие

негативные явления как неоднородность толщины и состава обрабатываемых слоев. Кроме того, при травлении сложных многоплановых структур проявляются эффекты различия скоростей травления для малых и больших площадей (microloading). Этот эффект присутствует, например при вскрытии контактных окон в сложных структурах. Кроме того, обрабатываемые слои на различных участках схемы могут иметь различные толщины, что так-же приводит к

перетраву. Вторым важным моментом при рассмотрении проблемы селективности есть оптимальное соотношение скорости травления удаляемого слоя и фоторезиста. Сухие плазменные процессы имеют достаточно высокие скорости травления резистов. Особенно сильно эта проблема проявляется при травлении с высоким разрешением, так как в этом случае толщина резиста не может превышать толщины линии, или при получении структур с высоким