Травление пп ИМС

НТУУ “КПИ” РТФ Доклад тема: “Травление п/п ИМС” Выполнил: студент 2-го курса группы РТ-22 Кираль С. О. Kиев 2004 Введение Одним из определяющих технологических процессов в микроэлектронике в течение более 40 лет продолжает оставаться литография. Литография или микролитография, а сейчас может быть уместно, говорить о нанолитографии, предназначена для создания топологического рисунка на поверхности монокристаллической

кремниевой пластины. Базовый литографический процесс представлен на рис. 1 и включает в себя, по крайней мере, 10 ступеней. Темой нашей лекции будут только два этапа, связанные с непосредственным переносом изображения маски на поверхность полупроводниковой структуры (ступени 8 и 9). Рис. 2 ячейка памяти с trench конденсатором На рис. 2 показана одна из ячеек памяти DRAM чипа разработанного фирмой IBM. В состав ячейки входят МОП транзистор

и конденсатор для хранения информационного заряда. В данном случае конденсатор имеет конфигурацию так называемого траншейного (trench) конденсатора. Он имеет ширину 0,25 мкм и технология его изготовления включает несколько литографических операций с разрешением 0,15 мкм. Всего же для изготовления такой микросхемы необходимо более 20 литографических операций с травлением самых различных материалов: кремния, диоксида кремния двух

типов, поликремния, алюминия или меди, вольфрама. Влажные процессы травления имеют очень высокую селективность и с успехом ис-пользуются при изготовлении микросхем с размерами микронного масштаба. Однако при травлении линий с субмикронным разрешением и одновременно с высоким отношением высоты линии к ее ширине влажные процессы перестают работать. Можно выделить следующие причины, лимитирующие применение влажных процессов.

1. Размер рисунка не может быть меньше 2 мкм. 2. Влажное травление – изотропный процесс, что приводит к формированию рисунка с наклонными стенками. 3. Влажное травление требует многоступенчатой промывки и сушки. 4. Используемые химикаты, как правило, сильноядовиты и токсичны. 5. Влажные процессы вносят дополнительные загрязнения. Все это привело к тому, что вначале 70 годов основным технологическим процессом травления стали