Свойства арсенида индия — страница 5

  • Просмотров 781
  • Скачиваний 13
  • Размер файла 49
    Кб

другом соединении; разложение гидрида мышьяка происходит при невысоких температурах и отсутствует необходимость в восстановлении; гидриды имеют малую реакционную способность по отношению к конструкционным материалам при температурах синтеза и очистки. Недостатками гидрида мышьяка являются высокая токсичность и взрывоопасность. Гидридная технология очистки мышьяка состоит из следующих этапов: синтез арсенида металла II

группы; гидролиз арсенида с получением арсина; очистка арсина сорбцией; вымораживание и ректификация; разложение арсина до металлического мышьяка. Мышьяк, полученный по приведенным схемам, с успехом используется для синтеза арсенида индия. Кроме того, треххлористый мышьяк находит широкое применение для нарашивания эпитаксиальных слоев арсенида индия. Эпитаксиальное наращивание арсенида индия из газовой фазы.

Газотранспортные процессы, в основе которых лежат обратимые химические реакции, широко применяются для получения эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5. Основными достоинствами процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида индия из газовой фазы в проточной системе являются: простота конструктивного оформления процесса; низкое пересыщение вещества над растущим кристаллом; сравнительно невысокие

температуры кристаллизации, возможность предотвращения загрязнения материалом контейнера; возможность управления процессом роста изменением скорости потока и концентрации транспортирующего агента; широкие возможности легирования слоев различными примесями; возможность автоматизации процесса; осуществление непрерывного процесса; возможность получение многослойных структур и заданной морфологии. Суммарные реакции,

наиболее часто используемых для осаждения эпитаксиальных слоев арсенида индия и переноса компонентов, в общем виде мощно представить следующим образом: 4InГ3+As4+6H24InAs+12HГ;------(8) 3As+2InГ3+3/2H23AsГ+2In+3HГ,----------(9) 3AsГ+2In2InAs+AsГ3;------(10) In+AsInAs;------------(11) 2InAs+3Г2InГ3+As2;------(12) 2InAs+H2OIn2O+As2+H2;------(13) где Г - галоген. Арсенид индия в виде эпитаксиальных слоев получают методами транспортных реакций либо синтезом из элементов, либо пересублимацией

соединения. Для переноса чаще всего используют галоиды (трихлориды элементов III и V групп, хлористый водород) и воду. Галоидные системы (хлоридные, йодидные) имеют преимущества перед системой H2O-H, поскольку хлор и йод являются нейтральными примесями для арсенида индия. Система In-AsCl3-H2 . Достоинствами системы можно считать: малое число исходных компонентов в системе; устранение предварительного получения InAs, используемого в