Структура и свойство материалов (из конспекта лекций) — страница 2

  • Просмотров 2112
  • Скачиваний 422
  • Размер файла 9
    Кб

Пропорциональности ослабления либо поглощения лучей. Дефекты: точечные (нульмерные) малы во всех 3 измерениях – вакансии, межузельные атомы; линейные (одномерные) малы в двух измерениях, а в третьем они большего размера (на длину зерна) – дислокации, цепочки вакансий, межузельные атомы; поверхностные (двумерные) малы только в одном измерении – границы блоков и зёрен. Точечные, линейные и поверхностные явл. микроскопическими

дефектами т.е. в одном направлении измеряется атомными диаметрами. Объёмные (трёхмерные) – макроскопичны – поры и трещины. Вакансия – место с которого атом сместился из узла решетки. Если в кристалле N атомов и n вакансий то равновесная концентрация вакансий Образование точечных: дефектов: по механизму Френкеля – вакансии и межузельный атом могут одновременно образовываться при перемещении атома из его нормального положения

в узле решётки (при облучении ядерными частицами); по механизму Шоттки – атом приобретает избыток Е от соседних атомов, выходит на поверхность и занимает узлы нового слоя, через время на место атома поверхностного слоя переходит атом и глубокого слоя, и вакансия перемещается в глубь кристалла. Линейные дефекты – дислокации. Краевая дислокация – сдвиг на одно межатомное расстояние одной части кристалла относительно другой

вдоль какой либо плоскости. Сдвиг создавший краевую дислокацию - ← вектор сдвига. Экстраплоскость – лишний атомный слой. В близи экстраплоскости внутри кристалла решётка сильно искажена. Если экстраплоскость находится в верхней части кристалла, то дислокация наз. положительной (┴), а если наоборот то наз. отрицательной (┬). Вектор Бёркинса (в) –явл. хар-кой дислокации по которой определяют энергию дислокации и меру

искажённости кристаллической решётки дислокацией. Скольжение дислокации – перемещение дислокации по плоскости скольжения под действием касательных напряжений (в ГЦК – {111}, в ГПУ {001} ). Винтовая дислокация – атомная плоскость закрученная вокруг линии в виде геликоида. Для винтовой дислокации ось (линия) дислокации параллельна вектору Бёркинса, а направление перпендикулярно. Плотность дислокации – суммарная линия дислокаций

в единице объёма Поверхностные дефекты – границы зёрен и субзёрен (это поверхность по обе стороны от которой кристаллические решётки различаются пространственной ориентацией). Типы границ зёрен: граница наклона (ось вращения лежит в плоскости границы зёрен) и границы кручения (ось вращения перпендикулярна этой плоскости). Границы с разориентацией соседних зёрен менее 10° - малоугловые, а с большей разориентацией –