Солнечная энергетика — страница 3

  • Просмотров 7263
  • Скачиваний 727
  • Размер файла 492
    Кб

установившейся фотоЭДС при освещении перехода излучением постоянной интенсивности описывается уравнением вольт-амперной характеристики (ВАХ) (рис. 4): U = (kT/q)ln((Iph-I)Is/+1) где Is– ток насыщения, а Iph – фототок. ВАХ поясняет эквивалентная схема фотоэлемента (рис. 5), включающая источник тока Iph=SqN0Q, где S – площадь фотоэлемента, а коэффициент собирания Q – безразмерный множитель (<1), показывающий, какая доля всех созданных

светом электронно-дырочных пар (SN0) собирается p-n-переходом. Параллельно источнику тока включен p-n-переход, ток через который равен Is[eqU/kT–1]. p-n-Переход шунтирует нагрузку, и при увеличении напряжения ток через него быстро возрастает. В нагрузку (сопротивление R) отбирается ток I. Рис.4. Вольт-амперная характеристика солнечного элемента Уравнение ВАХ справедливо и при освещении фотоэлемента светом произвольного спектрального

состава, изменяется лишь значение фототока Iph. Максимальная мощность отбирается в том случае, когда фотоэлемент находится в режиме, отмеченном точкой а (см. рис. 4). Рис.5. Эквивалентная схема солнечного элемента Максимальная мощность, снимаемая с 1 см2, равна P = Iph*U = x*Iкз*Uхх , где x – коэффициент формы или коэффициент заполнения вольт-амперной характеристики, Iкз – ток короткого замыкания, Uхх – напряжение холостого хода.

Проблемы нахождения и использования конструкций и материалов для солнечных элементов Для эффективной работы солнечных элементов необходимо соблюдение ряда условий: оптический коэффициент поглощения (a) активного слоя полупроводника должен быть достаточно большим, чтобы обеспечить поглощение существенной части энергии солнечного света в пределах толщины слоя;  генерируемые при освещении электроны и дырки должны

эффективно собираться на контактных электродах с обеих сторон активного слоя;  солнечный элемент должен обладать значительной высотой барьера в полупроводниковом переходе; полное сопротивление, включенное последовательно с солнечным элементом (исключая сопротивление нагрузки), должно быть малым для того, чтобы уменьшить потери мощности (джоулево тепло) в процессе работы; структура тонкой пленки должна быть однородной по

всей активной области солнечного элемента, чтобы исключить закорачивание и влияние шунтирующих сопротивлений на характеристики элемента. Производство структур на основе монокристаллического кремния, удовлетворяющих данным требованиям, – процесс технологически сложный и дорогостоящий. Поэтому внимание было обращено на такие материалы, как сплавы на основе аморфного кремния (a-Si:H), арсенид галлия и поликристаллические