Схема сопряжения датчика с ISA

  • Просмотров 122
  • Скачиваний 5
  • Размер файла 37
    Кб

Схемотехника 1. Базовые элементы ТТЛ 155-й серии. Схемы, принцип работы, назначение элементов ИЛИ К155ЛА3 и К155ЛР1. ТТЛ Обеспечивает требование быстродействия и потребляемой мощности. В интересах согласования с ЛЭ других типов используются преобразователи уровня в виде схемы с простым инвертором или со сложным инвертором. Для реализации можно использовать диодно-резисторную логику (Шотки) со сложным инвертором. ЛЭ ТТЛ с простым

инвертором Достоинства Простота технической реализации (на одном кристалле). Малые паразитные емкости, следовательно большое быстродействие. Недостатки Более низкая помехоустойчивость по сравнению с ДТЛ (U+пом ТТЛ < U+пом ДТЛ, U-пом ТТЛ < U-пом ДТЛ) Малый Kраз (Kраз — число единичных нагрузок, одновременно подключенных к выходу ЛЭ) Применяется в тех случаях, когда не требуется высокие устойчивость от статических помех и Kраз.

Схема с открытым коллектором. Можно включать резистор, светодиод, реле, обмотку мощного трансформатора. Схема ТТЛ явл. дальнейшим развитием ДТЛ. Так ДРЛ (диодно-резисторная логика) заменена на МЭТ (многоэмиттерный транзистор) с резистором. Рис.1 Для реализации операции y=x1x2 Рис.2 Рис.3 База–коллектор VT1 выполняют функцию смещающего диода VD3 с схеме ДТЛ. Эквивалент диода VD4 ДТЛ в схеме ТТЛ отсутствует. Достоинства Отсутствует

сопротивление утечки (в ДТЛ R2). МЭТ обеспечивает рассасывание неосновных носителей из области базы VT2 Условия Положительная логика 1 случай x1=x2=1, т.е. Ux1=Ux2=U1  “1” МЭТ выполняет следующие функции: Операция “И” Усиление сигнала. VD1, VD2. VD3 в схеме ЛЭ ДТЛ. VD1  (база-эмиттер VT1)х1, VD2  (база-эмиттер VT1)х2. Диод смещения VD3  база-коллектор VT1 Переход база-эмиттер VT1 смещённый в обратном направлении; переход база-коллектор VT1 смещён в прямом

направлении,  режим активный инверсный Uк-э МЭТ  0,1 В Uа = Uб-к VT1 о + Uб-эVT2 о – Uк-эVT1  1,5 В VT2, R2 реализуют “НЕ”. Принцип такой же, как в ДТЛ (VT2 открыт, насыщен. Rвых мало ( 5..40 Ом)  Uy = U0  0,2В 2 случай Ux1 = 0,2В Ux2 = 4В (Up – Un)VT1 x1 = UИП – Ux1 =5 – 0,2 = 4,8В Открыт, т.о. Ua = Uб-эVT1 x1 откр. + Ux1 = 0,8 + 0,2 = 1В Для того, чтобы открыть VT1б-к и VT2э-б требуется VT2 закрыт. МЭТ находится в открытом и насыщенном состоянии. Режим активный и насыщенный. ЛЭ ТТЛ-типа серии К155