Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах — страница 3

  • Просмотров 392
  • Скачиваний 5
  • Размер файла 328
    Кб

интуиции и опыте разработчика. При этом, разные разработчики, чаще всего, по-разному решают поставленные перед ними задачи, достигая требуемых результатов. В этой связи в данном пособии собраны наиболее известные и эффективные схемные решения построения широкополосных усилительных устройств на биполярных транзисторах, а соотношения для расчета коэффициента усиления, полосы пропускания и значений элементов высокочастотной

коррекции даны без выводов. Ссылки на литературу позволяют найти, при необходимости, доказательства справедливости приведенных соотношений. Поскольку, как правило, широкополосные усилители работают в стандартном 50 либо 75-омном тракте, соотношения для расчета даны исходя из условий, что оконечные каскады усилителей работают на чисто резистивную нагрузку, а входные каскады усилителей работают от чисто резистивного

сопротивления генератора. 1. ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ ДЛЯ РАСЧЕТА В соответствии с [1, 2, 3], приведенные ниже соотношения для расчета усилительных каскадов основаны на использовании эквивалентной схемы замещения транзистора, приведенной на рис. 1.1, либо на использовании его однонаправленной модели, приведенной на рис. 1.2. Рис. 1.1. Эквивалентная схема Джиаколетто Рис. 1.2. Однонаправленная модель Значения элементов схемы Джиаколетто могут

быть рассчитаны по паспортным данным транзистора по следующим формулам [1]: ; ; ; ; ; ; , где - емкость коллекторного перехода; - постоянная времени цепи обратной связи; - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером; - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером; - ток эмиттера в рабочей точке в миллиамперах; =3 - для планарных кремниевых транзисторов; =4 - для остальных транзисторов. В

справочной литературе значения и часто приводятся измеренными при различных значениях напряжения коллектор-эмиттер . Поэтому при расчетах значение следует пересчитать по формуле [1] , где - напряжение , при котором производилось измерение ; - напряжение , при котором производилось измерение . Поскольку и оказываются много меньше проводимости нагрузки усилительных каскадов, в расчетах они обычно не учитываются. Значения

элементов схемы замещения, приведенной на рис. 1.2, могут быть рассчитаны по следующим формулам [3, 4]: ; ; ; , где , - индуктивности выводов базы и эмиттера; - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер; - максимально допустимый постоянный ток коллектора. При расчетах по эквивалентной схеме приведенной на рис. 1.2, вместо используют параметр - коэффициент усиления транзистора по мощности в режиме двухстороннего