Проектирование модуля АФАР — страница 6

  • Просмотров 6670
  • Скачиваний 551
  • Размер файла 1043
    Кб

схемы ОБ — 0,8). При этом Pвых1 и Uк0 берутся для выбранного транзистора. При невыполнении этого условия можно несколько увеличить Sгр (на 10… 15%). Предлагаемая методика расчета исходит не из Pвых1, а из мощности Рг, развиваемой эквивалентным генератором тока iг. Мощность Рг в схеме ОЭ следует взять на 10‑20% меньше, чем требуемая Pвых1, которая имеет приращение из-за прямого прохождения части входной мощности. На f>frp в схеме ОБ Рг

берется на 25... 50% выше Pвых1, на f<frp эта доля меньше. К начальным параметрам расчета относится температура корпуса транзистора. Ее можно задать как Тк=Тс+(10… 20) °С с учетом перегрева радиатора относительно окружающей среды. Если после проведения расчета на значения f ' в типовом режиме Kр отличается от справочного значения не более, чем на то можно считать, что параметры эквивалентной схемы, принятые в расчете, оценены

правильно. Если модуль пикового напряжения сти Сэ занижено. Для удобства расчета исходные данные целесообразно свес­ти в таблицу в следующем порядке: Pвых1, Bт; Pг, Bт; f, МГц; fгр, МГц; Uкэ доп, В; Uкб доп, В; Uбэ доп, В; U', В; Uв0, В; Uк0, В; Sгр, А/В; Rпк, °С/Вт; Тп, °С; Тк, °С; h21э; Cк, пФ; Cкп, пФ; Cэ, пФ; rб, Ом; rэ, Ом; rк, Ом; Lб, нГн; Lк, нГн; Lэ, нГн; Pк доп, Вт. Приводимый ниже порядок

расчета граничного режима работы при Uв0=0 может быть использован для включения транзистора как по схеме ОЭ, так и по схеме ОБ. Там, где формулы расчета для схем ОЭ и ОБ отличаются, будет сделана пометка «ОЭ» или «ОБ». Все расчеты проводятся в системе СИ. 1. Напряженность ξгр режима: 2. Амплитуда напряжения и тока первой гармоники эквивалент­ного генератора: 3. Пиковое напряжение на коллекторе:

Uк пик = Uк0+Uг1<Uкэ доп. При невыполнении неравенства следует изменить режим или вы­брать другой тип транзистора. 4. Параметры транзистора: 5. Находим значения параметров А и В: С помощью графика A(γ1) на рис. 4 определяем коэффициент разложения γ1(θ). Затем по табл. 3.1. [1] для найденного γ1(θ) опреде­ляем значения, θ, cos(θ) и коэффициент формы g1(θ). 6. Пиковое обратное напряжение на эмиттере Затем в

пп. 7… 22 рассчитываются комплексные амплитуды токов и напряжений на элементах эквивалентных схем (см. рис. 3). За вектор с нулевой фазой принят ток и Рис. 4. Зависимость параметра A от коэффициента разложения симметричного косинусоидального импульса γ1(θ) 7.  8.  9.  10.  11.  12.  13.  14.  15.  16.  17.  18.  19.  20.  21.  22.  23. Амплитуда напряжения на нагрузке и входное сопротивление транзистора