Проектирование автогенератора с кварцевым резонатором в контуре — страница 4

индуктивности. Настройка колебательного контура автогенератора может производиться двумя способами: изменяем емкость или изменением индуктивностей. Наиболее чаще используют подстроечную катушку индуктивности. В данной схеме автогенератора будет использоваться однослойная цилиндрическая катушка с подстроечником в виде ферритового стержня (сердечника). В качестве материала каркаса катушки выбран полистерол, так как он

обладает удобными физическими параметрами и широко используется. Провод – медный в изоляции типа ПЭВ, диаметром 0.2 мм (0.15 – 0.30мм). Индуктивность катушки определяется по формуле: где 0.45 – поправочный коэффициент; - длина намотки провода; D – диаметр катушки (каркаса); W – количество витков. Отсюда количество витков: Зададимся диаметром D = 5 мм. Так как ферритовый стержень влияет на индуктивность катушки, для расчета числа витков

возьмем L меньше на 10¸20% (LK =3,47мкГн; Þ L = 3 ìêÃí)  ñâÿçè ñ òåì, ÷òî âëèÿíèå ýêðàíà íà èíäóêòèâíîñòü íåçíà÷èòåëüíî, â äàííîé ðàáîòå èì ìîæíî ïðèíåáðå÷ü. Â

ïðîòèâíîì ñëó÷àå îíî ìîæåò áûòü êîìïåíñèðîâàíî ïðè íàñòðîéêå. Подставляя значения в формулу находим количество витков W=63 витка. 4. Выбор элементов. Поз. обозна-чение Наименование Кол. Примечание Конденсаторы К10-17 ОЖО.460.172 ТУ С1 К10-17-1Б-М47-332пФ±10%-В 1 С2 К10-17-2А-М47-2383пФ±10%-В 1 Сэ

К10-17-2А-М75-1376пФ±10%-В 1 Скв КТ4-25-М750-5/25пФ±10%-В-ОЖО.460.135 ТУ 1 Подстроечный Резисторы С2-23 ОЖО.467.081 ТУ R0 C2-23-0,125Вт-5,6кОм±10%-A-B-B 1 R1 C2-23-0,125Вт-20кОм±10%-A-B-B 1 R2 C2-23-0,125Вт-9,1кОм±10%-A-B-B 1 R3 C2-23-0,125Вт-402Ом±5%-A-B-B 1 Rэ C2-23-0,125Вт-931Ом±5%-A-B-B 1 Rн C2-23-0,125Вт-604Ом±5%-A-B-B 1 Lдр Дроссель ДМ-0,1-365мкГн±5% ГИО.477.005 ТУ 1 Lк Дроссель ДМ-0,1-3,47мкГн±5% ГИО.477.005 ТУ 1 Подстроечный 5. Размещение элементов на печатной плате. 6. Расчет экрана. При расчетах будем считать, что экран изготовлен из меди

(магнитная проницаемость меди m = 1, относительная проводимость меди sотн = 1). Экран условно разбивается на две составляющие: реальный сплошной экран (SP) и идеальный сплошной экран с отверстиями (Sи). Обоснование толщины экрана и параметров отверстий будет приведено ниже. 6.1. Расчет толщины экрана t. Так как расчетные формулы для дальнего и ближнего элекрического поля идентичны, будем оговаривать вид поля (ближнее/дальнее) по мере