Принцип действия полевого транзистора — страница 6
неперекрытой частью канала со стороны истока. Так как для заряда этой емкости ток должен протекать через неперекрытую часть канала с сопро- тивлением ....... , то собмтвенная постоянная времени транзистора рав- на .......... . Это время, однако, очень мало , и в интегральных схе- мах, применяемых, например, в цифровой вычислительной технике, дли- тельность переходных процессов определяется не им, а паразитными ем- костями схемы и входными емкостями других транзисторов, подключенных к выходу данного. Вследствии этого при изготовлении таких схем стремят- ся сделать входную емкость как можно меньшей за счет уменьшения длин- ны канала и строгого совмещения границ затвора с границами стока и ис- тока. При больших напряжениях на стоке МДП-транзистора область объемно- го заряда от стоковой области может распространиться настолько сильно, что канал вообще исчезнет. Тогда к стоку устремятся носители из сильно легированной истоковой области, точно так же как при "проколе" базы биполярного транзистора (см "Твердотельная электроника" Г.И.Епифанов, Ю.А.Мома #12.2 и рис.12.19). При достаточно большом напряжении на стоке может также возник- нуть обычный пробой обратносмещенного стокового р-п-перехода. Выход- ные характеристики МДП-транзистора , включающие участки пробоя, пред- ставлены на рис. 8. __._______________________F_<____D:\EDITORS\WD\1.FRM-__єy▌;№;_4Ч6ж_h_R_MIч58√Cщь$kзя_ь-P:SЫ_*.MACC_ вэМГn■_т^P┬√MМя___@∙J№цTч┴·DL▄■ыш├:┬ОE¤╥.__ф_бr АДЮяз╞# _
Похожие работы
- Доклады
- Рефераты
- Рефераты
- Рефераты
- Контрольные