Применение pin диодов

  • Просмотров 3942
  • Скачиваний 607
  • Размер файла 337
    Кб

Министерство образования и науки Украины Донецкий национальный университет Физический факультет                     Реферат На тему: Применение p-i-n диодов Студента пятого курса З/О Специальность: радиофизика и электроника Антонова Александра Михайловича                                           Донецк, 2009         PIN-диод - разновидность диода, в котором между

областями электронной (n) и дырочной (p) проводимости находится собственный (нелегированный, англ. intrinsic) полупроводник (i-область). p и n области как правило легируются сильно, так как они часто используются для омического контакта к металлу. Широкая нелегированная i-область делает pin-диод плохим выпрямителем (обычное применение для диода), но с другой стороны это позволяет использовать его в аттенюаторах (ослабителях сигнала),

быстрых переключателях, фотодетекторах, а также в высоковольтной электронике. Как правило PIN-диод предназначен для работы в сантиметровом диапазоне волн (СВЧ).   Функциональная структура pin-диода       Характерные качества pin-диода проявляются при работе в режиме сильной инжекции, когда i-область заполняется носителями заряда из сильнолегированных n+ и p+ областей, к которым прикладывается прямое смещение напряжения.

pin-диод функционально можно сравнить с ведром воды с отверстием сбоку - как только ведро наполняется до уровня отверстия - оно начинает протекать. Точно так же и диод начинает пропускать ток, как только заполнится носителями заряда i-область. Из-за того, что в i-области очень низкая концентрация носителей заряда, там практически отсутствуют процессы рекомбинации во время инжекции. Но в режиме прямого смещения концентрация

носителей заряда на несколько порядков превышает собственную концентрацию. На низких частотах для pin-диода справедливы те же уравнения, что и для обычного. На высоких частотах pin-диод ведет себя как практически идеальный резистор - его вольт-амперная характеристика (ВАХ) линейна даже для очень большого значения напряжения. На высоких частотах в i-области находится большое количество накопленного заряда, который позволяет диоду