Применение гетеропереходов в оптоэлектронике — страница 2

  • Просмотров 5210
  • Скачиваний 527
  • Размер файла 35
    Кб

квазигомопереходами. Одной из причин обращения к гетеропереходам является возможность получить высокоэффективную инжекцию неосновных носителей в узкозонный полупроводник, т.е. суперинжекция, заключающаяся в том, что концентрация инжектированных в базу носителей может на несколько порядков превысить их равновесное значение в змиттерной области (см. рис. 1). Это означает, что стремление получить g=1 в широком интервале

изменения прямого тока не накладывает каких-либо ограничений на вид и концентрацию легирующей примеси в эмиттерной и базовой областях - у разработчика оптоэлектронных приборов появляется лишняя "степень свободы". Рис. 1. Это свойство гетеропереходов легко понять из рассмотрения рис.2. Когда прямое смещение выравнивает валентную зону, дырки нжектируются в n-область. Инжекции же электронов из n-области в p-область

препятствует барьер DE = Еg1- Еg2 (см. рис. 2). а) б) Рис.2. Идеальная зонная схема для гетероперехода. а) - в условиях равновесия; б) - при прямом смещении V Очевидно, что в этом случае излучательная рекомбинация будет происходить в узкозонной области. Так, в гетеропереходах GaAs - GaSb полоса инжекционной люминесценции находится при энергии 0,7 эВ , что равно ширине запрещенной зоны GaSb. Оптические свойства эмиттера и базы гетероструктуры

различны и могут в широких пределах изменяться независимо друг от друга. Отсюда, в частности, следует, что широкозонный эмиттер представляет собой "окно" для более длинноволнового излучения, генерируемого (или поглощаемого) узкозонной базой. Кроме того, различие в значениях Еg ведет и к различию показателей преломления n, что порождает волноводный эффект, т.е. концентрацию оптической энергии в слое с большим n при

распространении излучения вдоль слоя. На практике гетеропереходам присущи недостатки, связанные с границей раздела: уровень Ферми оказывается фиксированным на границе из-за поверхностных состояний. Поэтому вместо ровного хода для одной из зон обычно имеет место барьер типа Шоттки, как показано на рис. 3. Поскольку барьер Шоттки обладает выпрямляющим действием, его рисутствие становится очевидным при рассмотрении

n-n-гетеропереходов - т.е. переходов между двумя различными полупроводниками n-типа . Рис. 3 Особый интерес представляют гетеропереходы между CdS и каким-либо более широкозонным полупроводником p-типа. Кристаллы CdS всегда имеют n-тип проводимости, и р-n-переходы в этом материале до сих пор не изготовлены, несмотря на более чем двухдесятилетние усилия многих исследовательских групп. Соединение CdS обладает широкой прямой запрещенной