Применение гетеропереходов в оптоэлектронике

  • Просмотров 4239
  • Скачиваний 527
  • Размер файла 35
    Кб

Нижегородский Государственный Технический Университет Реферат по курсу "Электронные твердотельные приборы" тема: "Применение гетеропереходов в оптоэлектронике" Выполнили студенты группы 94-ФОС Куликов А.В. Макаров Д.М. Проверил преподаватель: Штернов A.A. 1996 г. Содержание. Введение..................................................... Гетеропереход. Физические основы........... Применение гетеропереходов. Излучатели. Инжекционный

лазер................... Светоизлучательный диод............ Исскуственные квантовые ящики................ Приемники. Фотодиод...................................... Фототранзистор............................ Заключение................................................. Введение. Оптоэлектроника - это раздел электроники, связанный главным образом с изучением эффектов взаимодействия между электромагнитными волнами оптического диапазона и электронами вещества (преимущественно твердых тел) и

охватывающий проблемы создания оптоэлектронных приборов (в основном методами микроэлектронной технологии), в которых эти эффекты используются для генерации, передачи, хранения и отображения информации. Техническую основу оптоэлектроники определяют конструктивно- технологические концепции современной электроники: миниатюризация элементов; предпочтительное развитие твердотельных плоскостных конструкций; интеграция

элементов и функций; ориентация на специальные сверхчистые материалы; применение методов групповой обработки изделий, таких как эпитаксия, фотолитография, нанесение тонких пленок, диффузия , ионная имплантация, плазмохимия и др. Исключительно важны и перспективны для оптоэлектроники гетероструктуры, в которых контактируют (внутри единого монокристалла) полупроводники с различными значениями ширины запрещеной зоны.

Гетеропереход. Физические основы.   Если n- и p-область перехода изготовлены из различных полупроводников, то такой переход называется гетеропереходом. Отличие от обычного перехода более тонко в том случае, когда полупроводники взаиморастворимы, а переход плавный. Переходы последнего типа иногда называют "квазигомопереходами". Таким образом, плавные переходы между n-ZnSe и p-ZnTe или между p-GaAs и n-GaР являютcя