Полупроводниковые фотоэлементы — страница 4

  • Просмотров 983
  • Скачиваний 23
  • Размер файла 17
    Кб

герц.В сернистосеребряных фотоэлементах электрический переход образуется между полупрозрачной пленкой золота и пленкой сернистого серебра, нанесенной на металлическую подложку. Эти фотоэлементы чувствительны к излучениям в длинноволновой части видимого спектра и в инфракрасной области. Интегральная чувствительность этих приборов мА/лм. Эти фотоэлементы, как и селеновые, характеризуются низким значением к. п. д. (1—2%) и

поэтому не используются как источники электроэнергии. Одна из причин столь низкого к. п. д.— малая диффузионная длина в поликристаллических полупроводниковых пленках.В качестве фотоприемников для обнаружения и регистрации малых световых сигналов применяются фотогальванические элементы на основе монокристаллических полупроводников германия и кремния, а также полупроводниковых соединений: антимонида индия (InSb), арсенида

индия (InAs) и др. Электрические переходы в таких приборах получают путем сплавления (например, индия и n-германия) или методом локальной диффузии примесей.Для усиления малых электрических сигналов, получаемых при регистрации слабых световых потоков, желательно увеличить сопротивление нагрузки, включаемой во внешнюю цепь. Однако увеличение сопротивления ограничено внутренним сопротивлением прибора , зависящим от

сопротивления перехода при обратном включении. При энергетическая характеристика получается более линейной (см. рис. 14-9) и снижается постоянная времени перезаряда барьерной емкости.С этой точки зрения кремниевые фотоэлементы предпочтительней германиевых, так как ширина запрещенной зоны кремния ( эВ) примерно в полтора раза больше, чем у германия, и, следовательно, меньше обратный ток. Германиевые приборы по этой причине

используются при охлаждении да температуры жидкого азота (77 К).Кремниевые приборы наиболее чувствительны к излучениям с длиной волны 0,8 мкм; длинноволновая граница этих приборов 1,1 мкм; удельная обнаружительная способность D* .Для работы в инфракрасной области спектра применяются фотогальванические приёмники из материалов с относительно узкой запрещенной зоной (InSb и InAs). Параметры фотоприемника, изготовленного из антимонида

индия, следующие: максимальная чувствительность соответствует излучению с длиной волны 5,5 мкм; удельная обнаружительная способность D* . В качестве эффективных преобразователей солнечной энергии в электрическую — фотоисточников электрической энергии — применяются кремниевые элементы, изготавливаемые на основе монокристалла кремния, а также пленочные элементы на основе сульфида кадмия. Основные требования к солнечным