Полупроводниковые фотоэлементы

  • Просмотров 956
  • Скачиваний 23
  • Размер файла 17
    Кб

Доклад по физике На тему: Полупроводниковые фотоэлементы Выполнил:Гросс Д.А. Проверила: Нюхалова Н.П. Новосибирск 2010 Полупроводниковые фотоэлементы Определение. Полупроводниковыми фотоэлементами называют приборы, принцип действия которых основан на фотогальваническом эффекте — явлении возникновения фото-э. д. с. в электрическом переходе при облучении его световым потоком. Фотоэлементы являются преобразователями энергии

светового потока в электрическую энергию и используются как источники э.д.с. для питания различных радиоэлектронных устройств, в приборах автоматики др.Устройство селенового и кремниевого фотоэлементов схематически показано на рис. 14-8. На массивную металлическую пластину толщиной 1—2 мм методом термического испарения в вакууме наносят слой р-селена (p—Se) и прогревают пластину при Т = 200 — 210° С. На слой селена затем напыляют

тонкую пленку кадмия (Cd), галлия (Ga) или индия (In). При последующей термической обработке на поверхности кристалла Se образуется тонкий слой (около 50 мкм) селенистого соединения напыленного металла, обладающего n-проводимостью. На границе образовавшегося селенида и р—Se формируется электронно-дырочный переход. Тонкий напыленный слой металла полупрозрачен и служит вторым электродом, с которым соединяется кольцеобразный

металлический контакт.Основой кремниевого фотоэлемента служит пластина п—Si толщиной 0,3—1 мм, на поверхности которой путем диффузии бора или алюминия создается слой р—Si толщиной 0,4—1 мкм. На границе этого слоя с п—Si образуется р-п переход с толщиной запирающего слоя I w 0,05 мкм. Контакты со слоем р—Si создаются путем вакуумного напыления пленки титана, защищаемого затем тонкой пленкой серебра. Пленка напыляемого металла

полупрозрачна. С тыльной стороны пластины вытравливается лунка, в которой осуществляется . контакт с пластиной п—Si.Характеристики и параметры фотоэлементов. Энергетическая характеристика фотоэлемента показала на рис. 14-9, аПри = 0 зависимость = f (Ф) должна быть согласно (14-21) линейной, однако с увеличением светового потока характеристика отклоняется от линейного закона. Это объясняется влиянием сопротивления перехода и