Полупроводниковые датчики температуры — страница 4

  • Просмотров 786
  • Скачиваний 6
  • Размер файла 37
    Кб

(г.Санкт-Петербург) представляет собой полупроводниковый диод на основе ар­сенида галлия. Диапазон измерения такого датчика (4,2…500) К, основная пог­реш­ность 0,1%, чувствительность (2…3) мВ/К, габаритные размеры 33 мм [2]. Известны случаи использования в качестве температурозависимого пара­метра коэффициента усиления по току на низких и высоких частотах [5]. Однако невысокая чувствительность коэффициента усиления к

температуре и его зависи­мость от предыстории, а также необходимость индивидуальной градуировки во всем диапазоне рабочих температур ограничивают применение этого параметра при создании термодатчиков. На основе транзисторов, эмиттерный переход которых включен в одно из плеч моста, созданы термодатчики типа ТЭТ-1, ТЭТ-2 [5]. Первый тип исполь­зу­ется для измерения температуры в полевых условиях в диапазоне (-10…+40) С с

основной погрешностью не более 1 К, второй – в диапазоне (-40…+80) С с погрешностью не более (0,3…2) К. Температурные пределы применимости транзисторов в термодатчиках значительно шире, чем при использовании транзисторов по прямому назначению. Ограничение применимости со стороны высоких температур наступает вслед­ст­вие перехода примесного полупроводника в собственный, уменьшения пробивно­го напряжения и повышения

генерации носителей в базовой области при отрица­тельных напряжениях. Применимость при низких температурах определяется уменьшением концентрации основных носителей из-за дезактива­ции легирующих примесей и уменьшения коэффициента усиления по току. Основным недостатком рассматриваемых термодатчиков является слож­ность получения их номинальной статистической характеристики из-за разброса основных параметров

транзисторов: коэффициента усиления по току, сопротив­ления базовой области, тока утечки и др. Анализ и оценка влияния разброса ука­занных параметров на точность измерения температуры при использовании номи­нальной статистической характеристики, выполненные в [5], показали, что для прямых параметров транзисторов с градуировкой при одной температуре погреш­ность измерения в схеме с общим эмиттером – не более 2 и 50% при

коэффици­енте усиления по току 30 и 200 соответственно. Важной характеристикой для широкого внедрения термодатчиков на осно­ве транзисторов и диодов является стабильность их параметров. Результаты ис­сле­­до­вания долговременной стабильности термодатчиков на основе транзисторов с температурозависимым параметром – прямым напряжением на p-n переходе в зависимости от температуры и длительности эксплуатации,