Пластическая деформация скольжением в монокристаллах (зёрнах). Плоскости легчайшего скольжения — страница 8
атомной плоскости. Рис. 6. Схема перемещения атомов при продвижении краевой дислокации на одно межатомное расстояние. Перемещение дислокации через весь кристалл приводит к смещению (сдвигу) соответсвующей части кристалла на одно межплоскостное расстояние. При этом слева образуется ступенька. Экстраплоскость выйдет на поверхность, что приведет к сдвигу верхней части кристалла на один период решетки над нижней частью. Переход дислокаций из одного положения кристаллической решетки в другое совершается значительно легче, чем переход атомного ряда на то же расстояние. В настоящее время показано, что дислокации могут двигаться по плоскости скольжения в кристаллической решетке при небольших сдвигающих напряжениях. Следует иметь в виду, что деформация за счет первичных дислокаций (т. е. образовавшихся в процессе кристаллизации) ограничена. Большие деформации возможны лишь благодаря тому, что движение дислокаций вызывает появление большого количества новых дислокаций в процессе пластической деформации. Как правило, дислокации не могут переходить с одной плоскости скольжения на другую. Если при взаимодействии одних дислокаций с другими или какими-то иными дефектами искажение решетки возрастает, то возрастает сопротивление их передвижению. Поэтому передвижению дислокаций препятствуют всякого рода неправильности в строении кристаллической решетки и другие дислокации. Перемещение дислокаций по пересекающимся плоскостям скольжения, а также наличие дислокаций обратного знака вблизи плоскости скольжения тормозит движение дислокаций. Краевые дислокации одного знака при их движении в своих плоскостях скольжения взаимно отталкиваются, а противоположные по знаку притягиваются. При сближении положительных и отрицательных дислокаций происходит их взаимное уничтожение. Этот процесс называется аннигиляцией дислокаций. Рис. 7. Схема образования двойника Двойникование. Пластическая деформация ряда металлов (имеющих плотноупакованные решетки К12 и Г12) может осуществляться двойникованием. Двойникование представляет собой пластическую деформацию, которая заключается в переориентировке части кристалла в положение, симметричное по отношению к первой части относительно плоскости, называемой плоскостью двойникования (рис. 7). Двойникование подобно скольжению должно сопровождаться прохождением дислокаций через кристалл. Разрушение. Любой процесс деформации при возрастании напряжений заканчивается разрушением. Различают два вида разрушения: хрупкое и вязкое. При хрупком разрушении
Похожие работы
- Доклады
- Рефераты
- Рефераты
- Рефераты
- Контрольные