План Общая информация о полупроводниковых лазерах 3 Применения полупроводниковых лазеров 4 — страница 9
высоких порядков до уровней, превышающих возможности лазера. Наличие боковых поперечных мод оказывает влияние на пространственное распределение интенсивности лазерного излучения и на ширину его спектра. В ближнем поле излучения лазера при уширении полоски наблюдается тенденция к образованию шнуров (рис. 7). В дальнем поле при возбуждении только низшей поперечной пересекающей моды в направлении, перпендикулярном плоскости перехода, наблюдается единственный максимум. Угловая расходимость излучения зависит от толщины активного слоя и скачка коэффициента преломления в гетероструктуре. На рис. 7. показана зависимость угла расходимости 0х от толодины активного слоя для разных 10 значений относительной разности коэффициентов преломления Л. При существенном уменьшении толгщшы активного слоя поперечные моды проникают в слои покрытия активной области, что приводит к увеличению лазерного пятна (см. рис. 7) на выходном торце лазерного диода, Поэтому с уменьшением толщины активного слоя будет уменьшаться угол расходимости. При Д = 8,7 % и d = 50 нм угол 0i равен 30°. При угле 0 L = 30° толщина активного слоя с уменьшением относительной разности коэффициентов преломления будет возрастать. Если в гетеролазере со скрытой гетероструктурой 0~30°, то оказывается возможным получить дальнее поле в виде круга. Применяемые в настоящее время полосковые гетеролазеры с управляемым коэффициентом преломления могут работать как в непрерывном, так и в импульсном режимах. Рис. 7. Распределение интенсивности излучения GaAlAs-гетеролазера в ближней и дальней зонах при разной ширине полоски Если лазерный диод на основе GaAlAs излучает в непрерывном режиме мощность свыше 6...9 мВт на квадратный микрометр излучающей поверхности, то плотность энергии внутри активного элемента такова, что на частично отражающих гранях диода начинаются химические реакции. Зеркальные грани постепенно тускнеют в результате образования аморфного оксида. По истечении определенного времени работа лазерного диода ухудшается и он выходит из строя. При плотности 20...25 мВт на квадратный микрометр поглощение излучения на гранях скола приводит к возникновению процесса термического испарения. Поверхность при этом нагревается до 1500 К, начинается 11 плавление полупроводникового материала и лазерный диод вьгходит из строя. Пределы на максимальную выходную мощность лазерных диодов с катастрофической деградацией зеркал могут быть смягчены одним из трех способов: 1) увеличением размера лазерного пятна с целью увеличения размеров поверхности, подвергающейся
Похожие работы
- Доклады
- Рефераты
- Рефераты
- Рефераты
- Контрольные