План Общая информация о полупроводниковых лазерах 3 Применения полупроводниковых лазеров 4

  • Просмотров 422
  • Скачиваний 4
  • Размер файла 291
    Кб

МОСКОВСКИЙ ордена Ленина, ордена Октябрьской Революции и ордена Трудового Красного Знамени ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н. Э. Баумана Реферат «Полупроводниковые лазеры для волоконно-оптических линий связи» Выполнил: Слюсаренко С.А Группа РЛ2-71 Москва 2007 г. План Общая информация о полупроводниковых лазерах ------------------------------ 3 Применения полупроводниковых лазеров ------------------------------------------ 4 Лазер на двойном

гетеропереходе ---------------------------------------------------- 5 Одномодовые канальные лазеры для волоконно-оптических линий связи -- 7 Полупроводниковые лазеры, излучающие в области 1300..1600 нм ---------- 14 Общая информация о полупроводниковых лазерах Возможность использования полупроводниковых материалов в ка­честве активного вещества давно привлекает к себе внимание физиков и инженеров. Это не удивляет, так как полупроводники имеют высокую

чувствительность к внешним воздействиям. Их свойствами можно управлять в очень широких пределах, изменяя температуру или давле­ние, воздействуя на них светом или потоком заряженных частиц, вводя различные примеси. Основы теории полупроводниковых лазеров впервые изложены в публикациях И. Г. Басова, Б, М. Вула, Ю. М. Попова, задолго до появления в 1962 г. первого лазера на арсениде галлия. Принцип действия полупроводникового

лазера можно рассмотреть с помощью рис. 1. на котором показаны валентная зона полупроводника V, зона проводимости С и ширина запрещенной зоны Eg. Если предположить для простоты, что полупроводник находится при температуре Т = О К, то валентная зона будет полностью заполнена электронами, в то время как зона прово­димости будет пуста (см. рис 1а, где заштрихованная об­ласть является областью заполненных состояний). Предполо­жим

теперь, что электроны каким-либо образом переведены из валентной зоны в зону проводимости. Внутри этой зоны элек­троны за очень короткое время ( ~ 10 с) перейдут на ее самый нижний уровень, а вск электроны вблизи максимума ва­лентной зоны также перейдут на самые нижние из незанятых уровней, так что верхушка валентной зоны будет заполнена дырками. Отсюда следует, что между валентной зоной и зоной проводимости возникает