Отчет 65 с., 3 ч., 26 рис., 8 табл., 53 источника

  • Просмотров 156
  • Скачиваний 3
  • Размер файла 18
    Кб

Реферат Отчет 65 с., 3 ч., 26 рис., 8 табл., 53 источника. КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА: атомный и ФАЗОВЫЙ ХИМИЧЕСКИЙ СОСТАВ, ЭФФЕКТИВНЫЙ ЗАРЯД АТОМОВ, РЕНТГЕНОВСКАЯ ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ, СПЕКТРОСКОПИЯ ОТРАЖЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ, фотоэлектронная спектроскопия, ТЕОРИЯ ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ, парциальные плотности состояний, парциальные эффективные заряды, нано-структурированные материалы Объектом исследования является электронная и

атомная структура поверхностных слоев материалов и наноструктур Основной целью проекта является разработка физических основ новых методов прямого неразрушающего послойного рентгеноспектрального анализа фазового химического состава и зарядового состояния атомов в поверхностных слоях твердых тел толщиной от долей до сотен нм. Как наиболее перспективные для достижения поставленной цели, рассмотрены методы спектроскопии

характеристических полос рентгеновского излучения и спектроскопии отражения. Для сравнительного анализа использовались данные фотоэлектронной спектроскопии с разрушающим профилированием по глубине методом ионного травления. Методологически основная задача проекта объединяет два направления исследований. Это изучение закономерностей формирования основных характеристик рентгеновских и фотоэлектронных спектров и их

связи с локальной электронной структурой валентных заполненных и незаполненных состояний твердых тел. Второе направление включает в себя изучение пространственных характеристик формирования спектров в поверхностной области твердых тел и их зависимостей от условий проведения экспериментов для разработки методов зондирования и обработки результатов измерений. Для решения задач первого направления привлечены методы

теории функционала плотности, развитые для расчета рентгеновских спектров заполненных состояний и их абсолютных интенсивностей. Основным объектом экспериментальных исследований на втором этапе являются нанослои HfO2, синтезированные методами молекулярного наслаивания (Atomic Layer Deposition, ALD) и гидридной эпитаксии (Metal Organic Chemical Vapour Deposition, MOCDV) на поверхности кристаллического кремния. Основные результаты работы по второму этапу.