Определение параметров p-n перехода

  • Просмотров 1205
  • Скачиваний 152
  • Размер файла 59
    Кб

«МАТИ»-РГТУ им. К. Э. Циолковского тема: «Определение параметров p-n перехода» Кафедра: "Xxxxxxxxxx xxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxx" Курсовая работа студент Хxxxxxxx X. X. группа XX-X-XX дата сдачи оценка г. Москва 2001 год Оглавление: 1. Исходные данные 3 2. Анализ исходных данных 3 3. Расчет физических параметров p- и n- областей 3 а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны 3 б) собственная концентрация 3 в) положение уровня Ферми 3

г) концентрации основных и неосновных носителей заряда 4 д) удельные электропроводности p- и n- областей 4 е) коэффициенты диффузий электронов и дырок 4 ж) диффузионные длины электронов и дырок 4 4. Расчет параметров p-n перехода 4 a) величина равновесного потенциального барьера 4 б) контактная разность потенциалов 4 в) ширина ОПЗ 5 г) барьерная ёмкость при нулевом смещении 5 д) тепловой обратный ток перехода 5 е) график ВФХ 5 ж) график ВАХ 6,

7 5. Вывод 7 6. Литература 8 1. Исходные данные 1) материал полупроводника – GaAs 2) тип p-n переход – резкий и несимметричный 3) тепловой обратный ток (0,1 мкА 4) барьерная ёмкость (1 пФ 5) площадь поперечного сечения ( S ) – 1 мм2     Ширина запрещенной зоны, эВ Подвижность при 300К, м2/В×с Эффективная масса Время жизни носителей заряда, с Относительная диэлектрическая проницаемость   электронов Дырок электрона mn/me дырки mp/me     1,42-8

0,85-8 0,04-8 0,067-8 0,082-8 10-8 13,1-8   2. Анализ исходных данных 1. Материал легирующих примесей: а) S(сера) элемент VIAгруппы (не Me) б) Pb(свинец) элемент IVAгруппы (Me) 2. Концентрации легирующих примесей: Nа=1017м -3, Nд=1019м -3 3. Температура (T) постоянна и равна 300К (вся примесь уже ионизирована) 4. – ширина запрещенной зоны 5. – подвижность электронов и дырок 6. – эффективная масса электрона и дырки 7. – время жизни носителей заряда 8. – относительная

диэлектрическая проницаемость 3. Расчет физических параметров p- и n- областей а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны б) собственная концентрация в) положение уровня Ферми (рис. 1) (рис. 2) Eg X Ei Ec Ev EF Eg EF Ei Ec Ev X – общий вид функции для построения ВАХ Ветвь обратного теплового тока (масштаб)   Ветвь прямого тока (масштаб) Вывод. При заданных параметрах полупроводника полученные значения