Литография высокого разрешения в технологии полупроводников

  • Просмотров 3774
  • Скачиваний 215
  • Размер файла 240
    Кб

КАЛУЖСКИЙ ФИЛИАЛ МОСКОВСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ Н.И. БАУМАНА Р Е Ф Е Р А Т по НИРС ЛИТОГРАФИЯ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Выполнил : Тимофеев А. гр. ФТМ-61 Руководитель: Головатый Ю.П. г. Калуга, 1996 г. Содержание. стр. 1. Фотолитография. 3 1.1 Ведение. 3 1.2 Основы оптики. 5 1.3 Контактная печать и печать с зазором. 8 1.4 Проекционная печать. 10 1.5 Совмещение. 12 1.6 Фотошаблоны. 13 1.7 Перспективы

развития фотолитографии. 14 2. Электронно-лучевое экспонирование. 15 2.1 Введение. 15 2.2 Характеристики электронно-лучевых установок. 17 2.3 Поглощение излучения высоких энергий. 20 2.4 Производительность систем ЭЛ экспонирования. 20 2.5 Радиационные резисты. 22 2.6 Оборудование для ЭЛ экспонирования. 23 2.7 Совмещение. 27 2.8 Эффекты близости. 28 2.9 Радиационные повреждения приборов. 30 2.10 Перспективы. 31 3. Рентгеновское и ионно-лучевое

экспонирование. 31 3.1 Рентгеновское излучение. 31 3.2 Ионные пучки. 33 4. Заключение. 35 5. Список литературы. 38 Фотолитография. Введение. Оптическая литография объединяет в себе такие области науки, как оптика, механика и фотохимия. При любом типе печати ухудшается резкость края (рис. 1). Проецирование двумерного рисунка схемы ведет к уменьшению крутизны края, поэтому нужен специальный резист, в котором под воздействием синусоидально

модулированной интенсивности пучка будет формироваться прямоугольная маска для последующего переноса изображения травлением или взрывной литографией. Если две щели размещены на некотором расстоянии друг от друга, то неэкспонируемый участок частично экспонируется по следующим причинам: 1) дифракция; 2) глубина фокуса объектива; 3) низкоконтрастный резист; 4) стоячие волны (отражение от подложки); 5) преломление света в резисте.

Рис. 1. Профили распределения интенсивности в изображения для случаев контактной печати, печати с зазором и проекционной литографии. Изображение неточечного источника в фокальной плоскости идеального объектива никогда не бывает истинной точкой, а распределяется в дифракционную картину диска Эйри. Таким образом, неэкспонируемый промежуток частично экспонируется дифрагировавшим и отраженным от подложки излучением. Из-за