Кремний, полученный с использованием "геттерирования" расплава

Кремний, полученный с использованием" геттерирования расплава . В бездефектной технологии изготовления ИС для уменьшения влияния термодефектов используются ме­тоды пассивного геттерирования примесей в пластинах. К таким методам относятся "внешнее геттсрирование" - нанесение внешних покрытий (поликремния, Si-,N^,переходных металлов) или механических по­вреждений на нерабочую сторону кремниевой пластины и

"внутреннее геттерирование" — намеренное обеспече­ние путем термообработок выделений второй фазы Si0,,на которых адсорбируются микродефекты, при­меси тяжелых и щелочных металлов. Однако в резуль­тате таких воздействий на пластины ухудшаются меха­нические свойства, что особенно заметно на подложках диаметром 100 и более миллиметров. Процесс образования геттерирующей зоны проис­ходит в несколько стадий, при этом самая

высокая температура термообработки (ТО) не превышает lOOO^C,в то время как многоступенчатая технология изготовления ИС включает более высокотемпературные операции, например диффузию, эпитаксию. Известно, что при температурах выше 1000°С кислород из выделе­ний вновь переходит в состояние твердого раствора, и при последующих термоциклах (430-500 и 600-800^0 опять появляются доноры, разрушаются комплексы примесей и микродефектов, что, в

свою очередь, приво­дит к нарушению термостабильности, снижению выхода годных, увеличению отказов. Активное воздействие на дефекты и примеси пред­полагает легирование монокристаллов в процессе их выращивания добавками, оказывающими влияние на свойства, состав расплава и твердого тела. При этом легирующий компонент должен удовлетворять следую­щим требованиям: —коэффициент распределения, значительно отли­чающийся от

единицы; —эффективное изменение коэффициента распреде­ления удаляемых примесей; —отсутствие вредного влияния атомов "геттера" на свойства полупроводника. Использование в качестве геттера водорода, пред­ложенное Декоком, не нашло применения в промыш­ленности, так как водород в процессе отжига удаляется из кристалла, вновь освобождая кислород и оставляя после себя напряженные участки кристаллической ре­шетки.