Контроль динамических параметров ЦАП — страница 9
процесса tycт, т. е.: (2) Время измерения tизм определяется выбранным числом п измерений в каждой точке переходного процесса и дискретным значением δt: (3) Как следует из рассмотренной схемы, результирующая погрешность измерения времени установления tуст определяется в основном разрешающей способностью ΔUк стробируемых компараторов и ограниченностью полосы пропускания измерителя, приводящей к искажению переходного процесса. Относительная погрешность γ обусловленная величиной ΔUк, зависит в свою очередь от крутизны S исследуемого сигнала U(t) в точке пересечения с границей зоны допустимых значений: (4) Это соотношение показывает, что погрешность γ, обусловленная разрешающей способностью компараторов, в значительной мере зависит от характера переходного процесса и возрастает с уменьшением производной исследуемого сигнала в момент окончания переходного процесса. Влияние полосы пропускания схемы измерения проявляется в ослаблении высокочастотных составляющих выходного сигнала ЦАП, что приводит к изменению длительности временного интервала, соответствующего длительности переходного процесса, а следовательно, к появлению ошибки преобразования. При нахождении полосы пропускания измерителя необходимо учитывать максимально возможный спектр частот F анализируемого сигнала: F = (1 ÷ 2)/т (5) где т — длительность видеоимпульса. Для неискаженной передачи этих сигналов полоса частот измерителя должна в 3—5 раз превышать значение F. Рассмотренные погрешности определяют в основном результирующую погрешность измерения, поскольку погрешность измерения временного интервала, соответствующего времени установления, может быть простыми схемотехническими средствами сведена к пренебрежимо малой величине. Список литературы 1. Измерения и контроль в микроэлектронике: Учебное пособие по специальностям электронной техники / Дубовой Н.Д., Осокин В.И., Очков А.С. и др.; Под ред. А.А.Сазонова. - М.: Высшая школа, 1984. - 367с. 2 Глудкин О.П., Черняева В.Н. Технология испытания микроэлементов радиоэлектронной аппаратуры и интегральных микросхем. – М.: Энергия, 1980. 3 Микроэлектроника: Учеб. пособие для втузов. В 9 кн. / Под ред. Л.А.Коледова. Кн. 5. И.Я.Козырь. Качество и надёжность интегральных микросхем. – М.: Высшая школа, 1987. – 144 с. 4 Измерение параметров цифровых интегральных микросхем / Д.Ю.Эйдукас, Б.В.Орлов, Л.М.Попель и др.; Под ред. Д.Ю.Эйдукаса, Б.В.Орлова. – М.: Радио и связь, 1982. 5 Докучаев Н.И., Козырь И.Я. Онопко Д.И. Испытания и измерения интегральных микросхем. – М.: Изд. МИЭТ, 1978. 6 Докучаев Н.И., Коледов Л.А. Элементы надёжности и измерение
Похожие работы
- Доклады
- Рефераты
- Рефераты
- Рефераты
- Контрольные