Конструирование микросхемы, разработка топологии

  • Просмотров 279
  • Скачиваний 23
  • Размер файла 173
    Кб

I. Анализ электрической схемы Расчёт мощностей рассеяния Pi Для упрощения расчётов Pi резисторов R4, R5, R8, R9, R10, R12 и R19 преобра­зу­ем выделенную часть схемы рис.1 (только те ветви, на которых находятся вышеуказанные резисторы) в эквивалентную (рис.2). Рассчитываем токи в контурах эк­ви­валентной схемы рис.2 методом контур­ных токов. 330I111-147I222-33I444=0 -1470I111+1517I222-47I333=0 -47I222+67I333-10I444=0 -3300I111-100I333+3400I444=5 I111(R4+R19+R8+R12)-I222(R19+R12)-I444R4=0

I222(R19+R12+R10)-I111(R19+R12)-I333R10=0 I333(R10+R5+R9)-I222R10-I444R5=0 I444(R4+R5)-I111R4-I333R5=E = 111059850000 – 49237209000 – 11055924000 = 50766717000 = 345450 + 16405950 = 16751400 ; I111 = = 0,000329968 A = 775500 + 16250850 = 17026350 ; I222 = = 0,000335384 A = 25030500 – 10804500 + 11399850 = 25625850 ; I333 = = 0,00050478 A = 164059500 – 72390150 = 91669350 ; I444 = = 0,0018057 A Зная контурные токи, мы можем рассчитать: I4 = I444 – I111 = 0,0018057 - 0,000329968 = 0,001475732 A I5 = I444 – I333 = 0,0018057 - 0,00050478 = 0,00130092 A I8 = I111 = 0,000329968 A I9 = I333 = 0,00050478 A I10 = I333 – I222 = 0,00050478 - 0,000335384 = 0,000169396 A I12 = I19 = I222 – I111 = 0,000335384 - 0,000329968 = 0,000005416 A

Теперь рассчитываем токи на остальных резисторах: Для расчёта тока на резисторах R11, R13 и R14 представим конденсатор на 9-ом выводе как резистор с самым большим сопротивлением, которое только имеем на схеме УПЧ и схеме его включения (Rдобавочное=22000+22000=44000 Om см. паспорт МС), т.е.: Для более точного подсчёта I15 – I18 подробнее рассмотрим транзистор V1: где  - коэффициент передачи тока (КТ317А  70) II. Разработка маршрутного

технологического процесса изготовления микросхемы. Наиболее простым способом формирования рисунка микросхемы является напыление элементов через свободные маски. Если при этом зазор между маской и подложкой отсутствует, линейные размеры элементов строго соответствуют размерам щелей в маске (метод контактной маски). Наличие зазора между под­ложкой и маской, устранить который полностью невозможно, приводит к

образо­ванию «зоны размытости» рисунка. Причём размер этой зоны, как показывает практика, увеличивается с ростом толщины маски и клинообразности профиля её вырезов. С уменьшением же толщины снижается жёсткость маски и увеличивает­ся её «провисание» над подложкой, что, в свою очередь, также приводит к росту зоны размытости. Напыление резистивных и проводниковых плёнок выполняется в одной вакуумной камере в непрерывном