Конструирование и технология производства ЭВА

  • Просмотров 2166
  • Скачиваний 412
  • Размер файла 325
    Кб

и ордена Трудового Красного Знамени государственный технический университет им. Н. Э. Баумана Курсовой проект по курсу “Конструирование ЭВС” студент: Вилинский Д. группа ИУ4-92 консультант: Шахнов В. А. Москва 1997 ОГЛАВЛЕНИЕ Техническое задание......................................................................... Подбор элементной базы.................................................................. Расчет теплового режима блока....................................................... Расчет массы

блока.......................................................................... Расчет собственной частоты ПП...................................................... Расчет схемы амортизации.............................................................. Расчет надежности по внезапным отказам...................................... Литература........................................................................................ 3 4 5 13 13 14 16 18 ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ 1. Назначение аппаратуры. Данный блок относится к классу бортовой аппаратуры и предназначен для установки в

управляемый снаряд. Функционально блок предназначен для свертки сигнала принимаемого бортовой РЛС. 2. Технические требования: а) условия эксплуатации: - температура среды tо=30 оC; - давление p = 1.33 × 104 Па; б) механические нагрузки: - перегрузки в заданном диапазоне f, Гц 10 30 50 100 500 1000 g 5 8 12 20 25 30 - удары u = 50 g; в) требования по надежности: - вероятность безотказной работы P(0.033) ³ 0.8. 3. Конструкционные требования: а) элементная база -

микросхемы серии К176 с КМДП логикой; б) мощность в блоке P £ 27 Вт; в) масса блока m £ 50 кг; г) тип корпуса - корпус по ГОСТ 17045-71; д) тип амортизатора АД -15; е) условия охлаждения - естественная конвекция. ПОДБОР ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ Поскольку проектируемый электронно-вычислительный блок является бортовой аппаратурой, то к нему предъявляются следующие требования: · высокая надежность; · высокая помехозащищенность; · малая потребляемая

мощность; Наиболее полно этим требованиям удовлетворяют интегральные микросхемы на дополняющих МДП (МОП) структурах - КМДП структуры. Цифровые интегральные схемы на КМДП-транзисторах - наиболее перспективные. Мощность потребления в статическом режиме ЦИС составляет десятки нановатт, быстродействие - более 10 МГц. Среди ЦИС на МДП-транзисторах ЦИС на КМДП-транзисторах обладают наибольшей помехоустойчивостью: 40...45 % от