Жидкостное химическое травление — страница 9

  • Просмотров 14245
  • Скачиваний 779
  • Размер файла 173
    Кб

SiO2 ® H2SiF6 + H2O - 11ккал/моль (31) В травителе HF/HNO3 происходит реакция Si+2HNO3+6HF ® H2SiF6+2HNO3+ 2H2O+125ккал/моль (34) Для растворения каждого атома Si требуется две молекулы HNO3 и шесть молекул HF. Если реакция контролируется диффузией, то максимальная скорость травления должна достигаться при молярном соотношении HNO3 и HF, равном 1:3. Анализ зависимости Аррениуса для травления Si в HF/HNO3 обнаруживает излом (рис. 11), соответствующий изменению вида процесса

от диффузионно-контролируемого к контролируемому скоростью реакции. Энергия активации диффузионно-контролируемого травления (6 ккал/моль) определяется диффузией HF через слой продуктов реакции. Значение этой энергии при травлении, контролируемом скоростью реакции (4 ккал/моль), определяется окислением кремния. Для диффузионно-контролируемого процесса произведение вязкость ´ скорость постоянно [уравнение (21)]. Для

управления вязкостью добавляется ледяная уксусная кислота (рис.12). Рис. 11. Зависимость скорости травления dM/dt от величины 1000/Т при травлении Si в HNO3/HF. Рис. 12. Зависимость произведения вязкости на скорость травления h´(dM/dt) от температуры ля травления Si при использовании ледяной уксусной кислоты в качестве загустителя. При изотропном травлении кремния используются маски из нетравящихся металлов Si3N4 или SiO2 (иногда для

неглубокого травления). Резист используется редко, так как HF¾HNO3 быстро проникает через пленку. Для травления кремния использовались также щелочные травители Si + 2OH- + H2O ® SiO2 + 2H2 (35) Этилендиамин, гидразин и OH- действуют как окислители, а пирокатехин и спирты - как комплексообразующие агенты для SiO3+. Кроме того, водород может замедлить травление поликремния. Для удаления H2 с поверхности добавляют ПАВ. Рис. 13. преимущественное

травление кремния вдоль кристаллографических направлений <100> и <110>. Щелочные реагенты являются в основном анизотропными травителями с преимущественным воздействием на кристаллографические плоскости с малыми индексами. Плотность свободных связей (дефектов, обусловленных свободными незавершенными связями граничной кристаллической плоскости) для этих плоскостей находится в соотношении 1.00 : 0.71 : 0.58. Причина выбора (100) -

ориентированного среза кремния для анизотропного травления заключается в том, что это единственная из основных плоскостей, в которой плоскости (110), (111), (100) и (211) пересекаются с регулярной симметрией. Поэтому эта ориентация наиболее предпочтительна при травлении глубоких канавок в кремнии. Следует отметить, что геометрия поверхности, создаваемой изотропным травлением, будет зависеть от геометрии первоначальной поверхности,