Исследование работы РПЗУ — страница 2

  • Просмотров 4340
  • Скачиваний 432
  • Размер файла 41
    Кб

является режим считывания информации. 2.3. Основными определяющими параметрами запоминающих устройств являются информационная емкость и быстродействие. В качестве единицы измерения информационной емкости используются бит, представляющий собой один ( любой ) разряд двоичного числа. Часто используются производные единицы: байт ( 1 байт = 8 бит ); Кбайт ( 1 Кбайт = 210 байт ); Мбайт ( 1 Мбайт = 220 байт ) и др. Информационная емкость

записывается, как правило, в виде произведения Синф = n x m, где n - число двоичных слов; m - разрядность слова. Например, емкость ОЗУ типа К155РУ1 составляет Синф = 16 х 1 бит = 16 бит. Емкость ППЗУ типа К155РЕЗ равна Синф = 32 х 8 бит = 256 бит = 32 байта. Такая форма записи характеризует также и организацию памяти. Так, в приведенном примере ОЗУ типа К155РУ1 содержит 16 слов с разрядностью 1, а ППЗУ типа К155РЕЗ содержит 32 слова с разрядностьв 8.

Быстродействие запоминающего устройства характеризуется величиной времени обращения. Время обращения - это интервал времени от момента подачи сигнала записи или считывания информации до момента завершения операции, т.е. минимальный интервал времени между двумя последовательными сигналами обращения к запоминающему устройству. Это время может составлять от долей до единиц микросекунд в зависимости от типа устройства. 2.4. В

качестве примера запоминающего устройства рассмотрим БИС РПЗУ типа КР1601РР1 информационной емкостью Синф 1К х 4 = 4 Кбит (1К = 210 =1024 ). Условно-графическое обозначение микросхемы приведено на рис.1. Рис.1 На рис.1 использованы следующие обозначения: A0 ¸ A9 - входы адреса D0 ¸ D3 - входы / выходы данных CS - выбор кристалла RD - вход сигнала считывания PR - вход сигнала программирования ER - вход сигнала стирания UPR -вход напряжения

программирования Режимы работы микросхемы представлены в таблице 1. Таблица 1 CS ER PR RD A0¸A9 UPR D1/0 Режим 0 X X X X X Roff Хранение 1 0 1 0 X -33¸-31 B X Общее стирание 1 0 0 0 A —//— X Избирательное стирание 1 1 0 0 A —//— D1 Запись данных 1 1 1 1 A -33¸5 B D0 Считывание 2.4.1. В режиме хранения на вход С подается логический "0", при этом независимо от характера сигналов на других управляющих и адресных входах на выходах данных устанавливается высокоомное

состояние ( Roff ). 2.4.2. При подаче CS = 1, ER = 0, PR = 1 и RD = 0 происходит стирание информации во всех ячейках памяти микросхемы, что соответствует для данной микросхемы установление всех ячеек в состояние логической "1". 2.4.3. При подаче сигналов CS = 1, ER = RD = 0 происходит избирательное стирание информации только по одному адресу А, установленному на входах AО ¸ А9 . 2.4.4. Для программирования РПЗУ на вход подается сигналы СS = 1 и PR = 0. При этом