Гибридные интегральные микросхемы

Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса Кафедра РЭС Дисциплина Микроэлектроника Контрольная работа Выполнила: Гринюк Е.В. Шифр: ИС-00-1276 группа: ЗМ-931 Проверил: __________________________ г. Шахты 2002 г. План Введение 1. Элементы и компоненты гибридных интегральных микросхем 1.1. Подложки ГИС 1.2. Элементы ГИС 1.3. Компоненты ГИС 2. Технология производства гибридных интегральных микросхем 2.1. Технологические маршруты

производства тонкопленочных ГИС 2.2. Технологические маршруты производства толстопленочных ГИС 2.3. Нанесение тонких пленок в вакууме 2.4. Нанесение толстых пленок 3. Применение ГИС микросхем в микроэлектронной аппаратуре 3.1. Особенности применения ГИС в МЭА Заключение ВВЕДЕНИЕ Реализация принципов, идей, методов полупроводниковой микроэлектроники привела к созданию БИС и СБИС, представляющие собой целые устройства и даже

системы, размещенные в одном полупроводниковом кристалле. Однако не все устройства можно изготовить с помощью полупроводниковой технологии. Параллельно с полупроводниковым развился и совершенствовался другой конструктивно-технологический вариант создания микроэлектронных устройств, основанный на технологии тонких (до 1 мкм) и сравнительно толстых (10 – 50 мкм) пленок. Чисто пассивные пленочные ИМС не получили широкого

распространения из-за ограниченных возможностей по выполнению ими функций обработки сигналов, а реализация пленочных активных элементов оказалась невозможной из-за низкой воспроизводимости их характеристик. Сочетание полупроводниковых микросхем, активных полупроводниковых приборов с пассивными пленочными элементами и пленочной коммутацией позволила создать микроэлектронные устройства с широким набором

функциональных возможностей. Интегральные микросхемы, в которых на ряду с пленочными элементами, сформированными по групповой тонко- или толстопленочной технологии, содержатся имеющие самостоятельное конструктивное исполнение полупроводниковые активные компоненты (ИМС, транзисторы, диоды), изготовлены по полупроводниковой технологии, называют гибридными интегральными микросхемами (ГИС). ГИС по сравнению с