Гальванотехника и ее применение в микроэлектронике — страница 6

для обезжиривания в большинстве случаев снабжены подогревом и имеют специальные вентиляционные устройства. В ваннах предусмотрены специальные устройства «карманы» для удаления с поверхности раствора пены и масла. Для травления меди и ее сплавов применяют керамиковые ванны, оборудованные вентиляционными устройствами. Ванны для нанесения гальванических покрытий делают в основном из стали и в случае необходимости

выкладывают внутри различными изоляционными материалами. Для кислых электролитов для внутренней обкладки применяется винипласт. Их используют для кислого цинкования, лужения, кадмирования, лужения, меднения, никелирования, осаждения сплава олово-свинец. Для серебрения и золочения изготавливают фарфоровые, керамиковые или эмалированные ванны небольших размеров. При интенсифицированном режиме большинство электролитов

требуют подогрева, перемешивания и непрерывной фильтрации для чего ванны оборудуют соответствующими специальными устройствами: бортовым вентиляционным отсосом и электроподогревателями. Для перемешивания электролитов применяют сжатый воздух или механические мешалки, или движущиеся штанги. Для фильтрации применяют различные устройства периодического или непрерывного действия. При фильтрации электролит откачивается со

дна ванны и пропускается через фильтр, затем снова попадает в ванну. Для периодической фильтрации применяются передвижные фильтры, состоящие из насоса, фильтра, подающей и отводящей труб. Для механизации процессов подготовки и наведения гальванических покрытий применяются полуавтоматические и автоматические ванны, также автоматизированные установки с программным обеспечением. Все гальванические процессы протекают в

основном под действием постоянного тока низкого напряжения. Для этого широко применяются выпрямители, создающие индивидуальное питание для каждой ванны (в соответствии с потребляемой силой тока). Применение гальванотехники в микроэлектронике. Удаление загрязнений с поверхности подложек. Электрические характеристики интегральных микросхем (ИМС) и их надежность во многом обуславливаются степенью совершенства

кристаллической решетки и чистотой обрабатываемой поверхности пластин и подложек. Поэтому обязательным условием получения бездефектных полупроводниковых и пленочных структур является отсутствие на поверхности пластин и подложек нарушенного слоя или каких-либо загрязнений. В условиях производства ИМС пластины и подложки соприкасаются с различными средами, и полностью защитить их от адсорбции различного рода примесей