Фоторезисты (ФР), виды, требования к ним, методы нанесения

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ кафедра ЭТТ РЕФЕРАТ на тему: «Фоторезисты (ФР), виды, требования к ним, методы нанесения» МИНСК, 2008 Основными параметрами фоторезистов являются свето­чувствительность, разрешающая способность, кислотостойкость, адгезия к подложке и технологичность. СветочувствительностьS, см2 /(Вт • с),- это величина, обрат­ная экспозиции, т. е. количеству световой

энергии, необходи­мой для облучения фоторезиста, чтобы перевести его в нераст­воримое (негативный) или растворимое (позитивный) сос­тояние : (7.3.1) где Н - экспозиция Вт • с/см ; Е — энергооблученноеть, Вт/см2; t — длительность облучения, с, Точную характеристику светочувствительности можно полу­чить, учитывая не только процесс экспонирования, но и прояв­ления. Так как проявитель химически взаимодействует с

экспо­нированными и неэкспонированными участками слоя фоторе­зиста, процесс проявления оказывает прямое влияние на его светочувствительность. В прямой зависимости от процесса про­явления, а следовательно, и светочувствительности фоторезис­та находится качество формируемого в его слое при проявле­нии рисунка элементов. Таким образом, критерием светочувствительности фоторезиста служит четкость рельефа рисунка в

его слое после проведения процес­сов экспонирования и проявления. При этом рельеф рисунка должен иметь резко очерченную границу между областями удаленного и остав­шегося на поверхности подложки слоя фоторезиста. Критерием светочувствительности негативных фоторезистов является образование после экспонирования и проявления на поверхности подложки локальных полимеризованных участ­ков — рельефа рисунка, т. е. полнота

прохождения фотохимичес­кой реакции полимеризации (сшивки) молекул основы фо­торезиста. Критерием светочувствительности позитивных фоторезистов является полнота разрушения и удаления (реакция фото­лиза) с поверхности подложки локальных участков слоя фото­резиста после экспонирования и проявления и образование рель­ефного рисунка. Фоторезисты характеризуются также пороговой светочув­ствительностью Sn = 1/H1,