Фотоэлектрические свойства нитрида алюминия — страница 12

  • Просмотров 6421
  • Скачиваний 559
  • Размер файла 2406
    Кб

угла наклона прямого участка ВАХ можно рассчитать темновую проводимость образца AlN, а учитывая геометрию образца, можно рассчитать удельную проводимость. , где l – длина образца; RТ – темновое сопротивление, рассчитанное из вольт-амперной характеристики ; D – ширина и h – толщина пленки нитрида алюминия. Исходя из этих данных, можно определить удельную проводимость образцов. Зная удельную проводимость материала и подвижность

носителей заряда, можно рассчитать концентрацию носителей заряда в образце. n – концентрация носителей заряда в материале; mn – подвижность электронов. Согласно литературным данным, подвижность [6]. Из результатов исследований видно, что удельная проводимость исследуемых образцов практически однородна по площади, и незначительно изменяется от образца к образцу, что указывает на хорошую воспроизводимость технологии.

Линейность вольт-амперных характеристик при больших напряжениях, а также тот факт, что они практически совпадают при изменении полярности прикладываемого напряжения, говорит о том, что алюминиевые контакты, нанесенные на поверхность образцов можно считать омическими. Таблица 3.1.1. Результаты измерений темновых вольт-амперных характеристик образцов нитрида алюминия Образцы Сопротивление Ом Удельная проводимость, ом-1 м-1

Концентрация носителей, м-3 Образец №1 4.47 1014 0.26 10-8 0.116 1014 Образец №2 6.19 1013 0.27 10-7 0.11 1014 Образец №3 6.81 1013 0.243 10-8 0.1 1014 Рисунок 3.1.1.1. Темновая вольт-амперная характеристика образца нитрида алюминия (образец №1) при различных полярностях приложенного напряжения. Рисунок 3.1.1.2. Темновая вольт-амперная характеристика образца нитрида алюминия (образец №2). 3.1.2. Вольт-амперные характеристики нитрида алюминия при освещенности Вольт-амперные

характеристики нитрида алюминия при освещенности снимались при помощи установки, описанной в главе 2. Результаты измерений приведены в таблицах 3.1.2.1. и 3.1.2.2. Измерения проводились при мощности падающего излучения – 21.4 мкВт Сравнивая темновую ВАХ образца и ВАХ при полной освещенности, мы можем определить: *                     фотопроводимость материала;

*                     коэффициент умножения фототока; *                     концентрацию неравновесных носителей заряда. Фотопроводимость нитрида алюминия при освещении рассчитывается также как и его темновая проводимость, только вместо темнового сопротивления Rт, в формулу для расчета подставляется сопротивление при освещенности Rсв.