Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС — страница 3

  • Просмотров 3372
  • Скачиваний 296
  • Размер файла 29
    Кб

технологический эксперимент. Однако технологические эксперименты сопряжены с большими затратами средств и времени. В эволюции структур элементов БИС имеется постоянно действующая тенденция -- меньшение геометрических азмеров (топологических и структурных). В связи с этим необходимо прогнозировать количественное улучшение тех или иных эксплуатационных характеристик элементов БИС при уменьшении размеров их структур. Эта

задача становится все более актуальной, поскольку уменьшение геометрических размеров достигается ценой больших затрат. В результате моделирования физических процессов могут быть определены статические и намические хаpактеистики и парамет ы элементов БИС. К основным характеристикам элементов относятся входные и выходные вольт-амперные характеристики, коэффициенты усиления, времена задержки переключения, рабочие частоты

и т. п. Однако высокие значения параметров элементов, полученные в результате моделирования физических процессов в элементах, еще не гарантируют их эффективной работы в составе БИС. Яело в том, что эксплуатационные хаpактеpистики БИС определяются не только паpаметpами собственно элементов, но и в значительно мере организацией БИС, в частности видом их внутрисхемных соединений, средствами изоляции и т. п. При освоении метода

электронной литографии ставится задача определения степени увеличения быстродействия при его использовании в БИС определенного класса. Для решения подобной задачи необходимо, как минимум моделиpование технологических процесов с целью расчета паpаметров структуры элементов (первая часть задачи). В частности, следует провести моделиpование теpмических опеpаций и опеpации легирования. меньшение топологических размеров,

обусловленное использованием электронной литографии, в соответствии с принципом пропорциональной миниатюризации влечет за собой и снижение структурных размеров (толщин слоев и глубин залегания р-n-переходов). Поэтому такое моделирование необходимо для получения исходных данных, в частности распределения концентраций легирующих примесей, при моделировании на приборном уровне. На следующем уpовне моделиpования (втоpая часть

задачи) исследуют особенности функциониpования элементов с субмикронными размеpами с целью получения количественных параметров статических вольт-ампеpных характеристик и динамических паpаметpов . Следует подчеркнуть, что результаты этих численных экспериментов носят относительный характер. На тpетьем уровне моделироврния (тpетья часть задачи) исследуют электрические характеристики приборов с учетом взаимодеийствия между