Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника — страница 9

  • Просмотров 1092
  • Скачиваний 10
  • Размер файла 149
    Кб

оптронов. Применение оптронов. Принцип действия полупроводниковых индикаторов Жидкокристалические индикаторы. Принцип действия и разновидности. Газоразрядные индикаторы и плазменные панели. Применение индикаторов. Полупроводниковые лазеры. Принцип действия, характеристики и особенности. Раздел III. Микроэлектроника 1 Технологические основы микроэлектроники Средством решения проблемы увеличения надежности, снижения

стоимости, массогабаритных показателей и энергопотребления РЭА является комплексная миниатюризация, в широком смысле означающая системный подход к применению в аппаратуре средств микроэлектроники, а в прикладном смысле – метод создания аппаратуры, при котором все ее узлы, блоки и устройства выполнены на базе изделий микроэлектроники. Следует уяснить, что основная задача микроэлектроники – решение вопросов надежности

микроэлектронных устройств, состоящих из большого количества элементов. Это и есть – «Тирания большого количества». Классификация изделий микроэлектроники приведена в [2, с.27-32]. Основным видом изделий микроэлектроники являются ИМС, которые могут быть квалифицированы по технологии изготовления, степени интеграции, функциональному назначению и по применяемости в аппаратуре. Подробно см. [2, с. 23-38]. Базовые технологические

процессы изготовления полупроводниковых ИМС (эпитаксия, термическое окисление, диффузия, ионное легирование, фотолитография, металлизация) достаточно полно и компактно описаны в [2, с. 55-78]. Усвойте назначение каждого из базовых процессов, а также умейте без излишней детализации объяснить их сущность. Основу биполярных полупроводниковых ИМС составляют n-p-n транзисторы. Отличия параметров и характеристик интегрального n-p-n

транзистора от дискретного определяются расположением всех трех выводов на одной поверхности, а также влиянием подложки. Обратите внимание на способы улучшения параметров интегрального n-p-n транзистора, в частности, введение скрытого n-слоя. Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода. Весьма важно для понимания принципов

построения современных полупроводниковых цифровых ИМС разобраться с устройством и особенностями активных структур, не имеющих дискретных аналогов: многоэмиттерных и многоколлекторных транзисторов, транзисторов с барьером Шотки. Обратите внимание на проблему реализации p-n-p транзисторов на одной подложке с основными n-p-n транзисторами, поймите отличия горизонтального и вертикального p-n-p транзисторов. Такие элементы наряду