Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника — страница 6

  • Просмотров 1097
  • Скачиваний 10
  • Размер файла 149
    Кб

“Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника” студент обязан выполнить контрольную работу, ответить на контрольные вопросы, выполнить лабораторный практикум и сдать экзамен. К сдаче экзамена студент допускается при предъявлении экзаменатору выполненных и зачтенных контрольных работ. Основной формой изучения курса является самостоятельное изучение рекомендованной литературы. Очные виды занятий являются

дополнительной формой в помощь самостоятельной работе студентов по изучению курса. Кафедра рекомендует вести краткий конспект изучаемого учебного материала. После изучения каждого раздела необходимо ответить на контрольные вопросы и выполнить контрольные задания. На два контрольных вопроса (по разделу II – один) из каждого раздела (согласно шифра, см. задачу № 1 контрольного задания) ответы следует дать в письменной форме. В

приведенных ниже методических указаниях даются ссылки на основные литературы [, 2. Однако, для изучения программы курса можно пользоваться и списком дополнительной литературы. Дополнительной литературой можно также пользоваться для более углубленного изучения отдельных пунктов или разделов программы или в случае отсутствия книг основной литературы. Методические указания по разделам курса Раздел 1. Полупроводниковые

приборы 1 Электрические свойства полупроводников 1, с. 29-42; В этом пункте рассматриваются физические основы полупроводников. Нужно вспомнить основные положения квантовой механики из курса физики: основы зонной теории, статистика Ферми-Дирака, уровень Ферми и его зависимость от концентрации примесей в полупроводниках и температуры. Следует уяснить способы построения энергетических уровней собственных и примесных

полупроводников. Нужно различить диффузионный и дрейфовый токи. 2 Физические процессы в электронно-дырочных переходах и контактах , с. 42-55; Материал этого пункта надо тщательно изучить, так как он является чрезвычайно важным для понимания работы всех полупроводниковых приборов. Необходимо изучить свойства p-n переходов, их энергетические и потенциальные диаграммы. Надо знать уравнение вольтамперной характеристики,

отличие теоретической характеристики от реальной, виды пробоев p-n перехода. Изобразить эквивалентную схему p-n перехода и дать физическое объяснение наличия барьерной и диффузионной емкостей перехода. Необходимо знать принцип действия контакта металл-полупроводник (барьер Шотки). 3 Полупроводниковые диоды [1], c. 56-92; 4 Биполярные транзисторы [1], c. 93-175; 5 Полевые транзисторы [1], с. 183-211. Надо усвоить устройство и принцип действия