Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника — страница 19

  • Просмотров 1521
  • Скачиваний 11
  • Размер файла 149
    Кб

сводится к тому, что в промежутке между выходными характеристиками для IБ = 0,1 мА и IБ = 0,2 мА, а также для IБ = 0 и IБ = 0,1 мА, по середине, проводим характеристики для IБ = 0,15 мА и IБ = 0,05 мА (см. штриховые линии). Точки пересечения этих линии с НЛ отметим точками 1' и 2', что и будет показывать пределы изменения рабочей точки. По построенным характеристикам рабочая точка будет находиться в точке 2, как на выходной, так и на входной

характеристиках*. Их координаты по выходной характеристике (рис. 3): VК0 = 12,2  12 В; IК0 = 7,5 мА; по входной характеристике (рис. 3): VБ0 = 0,75 В; IБ0 = 0,1 мА. Имея постоянную составляющую IБО= 0,1 мА, строим на этом уровне изменение базового тока iБ(t), т. е. сумму переменного и постоянного составляющих (на рис.3 заштриховано). Соответствующее изменение базового напряжения, с пределами изменения VБмин и VБмах на уровне VБ0, показана на нижней части

этого рисунка. Аналогичное построение осуществляется и на выходной характеристике транзистора относительно уровней IК0 и VК0 c амплитудами IКМ и VКМ. Параметрами переменного сигнала на входе и на выходе являются соответственно IБМ, VБМ и IКМ, VКМ. При определении IКМ, VКМ, а также VБМ, следует обратить внимание на то, что полуволны этих величин не одинаковы. Это приводит к тому, что усиление сопровождается искажениями (при равной

амплитуде положительной и отрицательной полуволн базового тока, амплитуды коллекторного тока и коллекторного и базового напряжений неодинаковы). Поэтому желательно, чтобы величины IКМ, VКМ, и VБМ были усреднены, т. е.: IКМ = 2,9 мА; VКМ = = 2,85 В; VБМ = = 0,04 В; Используя найденные величины, а также значения 2 и 2 (см. рис.3), находим h-параметры и коэффициенты усиления по току КI и напряжению KU: h11Э = 0,8 кОм; h12Э = ; h21Э = 70; h22Э =  0,26 мСм  0,2610-3 См; КI

= 58; KU =  70; Кроме того можно определить: R ВХ = h11 = 0,8 кOм; КР = КI  KU = 58  70 = 4060; P К =  4 мВт; РК0 = I К0  V К0 = 7,5  12  90 мВт; где P К и РК0 – мощности соответственно на нагрузке и транзисторе. Система уравнений транзистора через h-параметры можно записать в следующем виде: Этой системе соответствует эквивалентная схема транзистора, где используются ранее определенные h-параметры: h11Э = 800 IК IБ h11Э VK= = 0,03 VK h22ЭIБ = 0,26 мСм h21ЭIБ = 70IБ Рис. 4 где

левая часть схемы соответствует первому уравнению вида VБ = h11ЭIБ + h12ЭVK = 0,8 IБ +0,03VK, а правая часть – второму уравнению IК = h21ЭIБ + h22ЭVK = 70IБ + 0,26VK Список литературы Основная Батушев В. А. Электронные приборы. – М. , “Высшая школа” 1980. – 383 с. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1983. – 384 с. Дополнительная Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. – М.: