Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника — страница 13

  • Просмотров 1464
  • Скачиваний 11
  • Размер файла 149
    Кб

транзисторно-транзисторные (ТТЛ), транзисторно-транзисторные с барьером Шотки (ТТЛШ) и эмиттерно-связанные (ЭСЛ) интегральные логические элементы. Изучите схемы и особенности таких элементов, а также ориентировочные параметры каждого из них. В больших интегральных схемах (БИС) широкое распространение получили МДП- и КМДП-интегральные логические элементы [2, с. 275-280], а также интегральные логические элементы с инжекционным

питанием (И2Л). Особое внимание обратите на принципы работы схем И2Л, существенно отличающиеся от принципов работы других логических элементов. При изучении МДП-интегральных логических элементов помните, что наряду с элементами на ранее рассмотренных статических ключах иногда используются динамические элементы, имеющие определенные преимущества по потребляемой мощности. Необходимо знать ориентировочные параметры всех

типов интегральных логических элементов и уметь сравнить их между собой. На основе интегральных логических элементов реализуются интегральные логические триггеры. Функциональное отличие триггера от логического элемента состоит в том, что триггер обладает двумя устойчивыми состояниями по каждому из выходов. Перевод триггера из одного устойчивого состояния в другое возможны при определенной логической комбинации входных

сигналов. По логической структуре переключения различают типы триггеров. Необходимо знать принципы их построения и типы. Триггер является элементарной ячейкой запоминающих устройств. Следует различать типы запоминающих устройств и их основные параметры. Разнообразие видов триггеров объясняется их применением для построения арифметических и логических устройств. Дальнейшее совершенствование цифровых ИМС с целью

улучшения технико-экономических показателей возможно за счет схемотехнических и технологических приемов [2, с. 281-284]. 4 Большие и сверхбольшие интегральные схемы (БИС и СБИС) Повышение степени интеграции является основной тенденцией развития микроэлектроники, так как использование БИС сопровождается резким улучшением всех основных показателей аппаратуры. Пути повышения степени интеграции и проблемы, связанные с созданием

БИС и СБИС, подробно рассмотрены в [2]. В цифровых БИС находят применение базовые ячейки, занимающие малую площадь на подложке и обладающие минимальной потребляемой мощностью (n-МДП, КМДП, И2Л). В настоящее время для создания БИС и СБИС начали использовать функционально-интегрированные структуры, в частности, приборы с зарядовой связью (ПЗС). Увеличение степени интеграции приводит к резкому сужению сферы применения БИС и СБИС, что