Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника

  • Просмотров 1000
  • Скачиваний 10
  • Размер файла 149
    Кб

КАЗАХСКО-АМЕРИКАНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ÝËÅÊÒÐÎÍÍÛÅ, ÊÂÀÍÒÎÂÛÅ ÏÐÈÁÎÐÛ È ÌÈÊÐÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ Программа, методическое указание и контрольные задания (для студентов заочной формы обучения специальности 3805 – Радиосвязь, радиовещание и телевидение) Алма-Ата 2001 Введение Электронные, квантовые приборы и микроэлектронные изделия являются основой практически всех радиоэлектронных и коммуникационных устройств и систем. Задачей

дисциплины “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника” является подготовка студентов к решению задач, связанных с рациональным выбором элементной базы при разработке радиоэлектронной и коммуникационной аппаратуры, квалифицированной эксплуатации микроэлектронной аппаратуры, а также приобретение навыков работы и знаний по работе с электронными приборами и микроэлектронными изделиями. Дисциплина “Электронные,

квантовые приборы и микроэлектроника” базируется на соответствующих разделах курсов математики, физики, теории электрических цепей. Программакурса “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника” Введение Классификация электронных, квантовых приборов и изделий микроэлектроники. Краткий исторический очерк развития электронной и микроэлектронной техники. Значение курса, как одного из базовых, для радиоэлектронных и

коммуникационных специальностей. Раздел 1. Полупроводниковые приборы 1 Электропроводность полупроводников. Основные понятия зонной теории. Уровень Ферми для собственного и примесного полупроводников. Концентрация подвижных носителей зарядов. Генерация, рекомбинация, время жизни носителей. Диффузионное и дрейфовое движения носителей, диффузионный и дрейфовый токи, уравнения диффузии и непрерывности. 2 Физические процессы в

электронно-дырочных переходах и контактах. Электронно-дырочный (p-n) переход в состоянии равновесия. Способы получения переходов. Энергетическая и потенциальная диаграммы, высота потенциального барьера, движение носителей, распределение зарядов и напряженности электрического поля в обедненном слое, ширина перехода. Прямое и обратное включение p-n перехода. Инжекция и экстракция неосновных носителей, прямой и обратный токи.