Дифракционный контраст — страница 3

  • Просмотров 2085
  • Скачиваний 261
  • Размер файла 227
    Кб

кристаллической решетки является классическим примером фазового контраста. На рис.4 приведено ВРПЭМ изображение Si (а) с проекцией Si-структуры (б) и очертанием использованной апертуры (в). Рис.4 На Рис.1 (а) видны очертания, напоминающие гантелеобразные связи между атомами кремния, расположенных в проекции на расстоянии в 0.14нм друг от друга. В использованной апертуре было 13 рефлексов (в). На изображении расстояние в «гантели»

соответствует 1.3 нм и таким образом, получается, что расстояние в «гантели» соответствовало плоскостям (004), которые, однако, не участвовали в формировании изображения. Проблема заключается еще и в том, что, точечное разрешение в ПЭМ составляло лишь ~2.5 нм. Объясняется это тем, что «гантели» в изображении связаны с наложением пересекающихся полос. 3.2 Контраст муара Контраст муара возникает за счет интерференции структур с

близкими периодами решеток. Имеются два типа муара, трансляционный и ротационный, которые иллюстрируются рис. 5. Рис.5 В трансляционном муаре (а) плоскости с близкими периодами параллельны, значит g1 и g2 тоже параллельны. Наложение двух векторов в обратном пространстве дает результирующий вектор. Связь g-векторов в трансляционном и ротационном муаре: Муар является результатом интерференции двух систем плоскостей и совсем не

обязательно, чтобы соответствующие кристаллы были в контакте. Если в верхнем кристалле возбуждается пучок g1, а в нижнем - g2, то каждый луч g1 в нижнем кристалле ведет себя как падающий пучок и вызывает соответствующие для второго кристалла рефлексы. 3.3 Френелевский контраст Контраст, связанный с дефокусированным изображением, называют френелевским. Наиболее простая иллюстрация френелевского контраста приведена на рис. 6, где

тонкая проволока (<=1мкм) введена на оптическую ось на пути пучка. На проволоку подается небольшой потенциал (~10в). Электронный пучок расщепляется, как свет в оптической призме, и отклоняется в электростатическом поле. Создается два виртуальных когерентных источника, s1 и s2, и на фотопластинке появляются интерференционные линии. Это - схема бипризмы Френеля. Рис.6 3.4 Контраст стенок доменов В магнитных материалах на электрон пучка

действует сила Лоренца, F = (e/c)[vB]. Изменение направления вектора намагниченности B приводит к изменению направления силы Лоренца. Как показано на рис. 7, электроны, проходящие через пленку в соседних магнитных доменах, отклоняются в разные стороны, что приводит либо к сгущению, либо к ослаблению интенсивности на экране. Этот простой принцип лежит в основе лоренцевской просвечивающей электронной микроскопии (ЛПЭМ). Изображение