Дифференциальный усилитель — страница 3

  • Просмотров 3930
  • Скачиваний 380
  • Размер файла 15
    Кб

выбирают из условий Dl+Db*Кф Р*Кф lрасч³max(lтехн,lточн,lр), lточн³------------, lр=(--------)^1/2. d0кф Р0 lточн2=0.736мм, lр2=0.417мм, значит l2=0.75мм. bрасч=l/Кф, bрасч2=1.25мм, S=0.9375мм^2. Аналогично рассчитываем R4/ lточн=0.72мм, lр=0.25мм, l4=0.75мм. b4=1.35мм, S=1.0125мм^2. Резисторы спроектированы удовлетворительно, т.к.: 1) удельная мощность рассеивания не превышает допустимую Р01=Р/S£Р0; 2) погрешность коэффициента формы не превышает допустимую d0кф1=Dl/lполн+Db/b£d0кф; 3)

суммарная погрешность не превышает допуск d0r1=d0rŠ+d0кф+d0rt+d0rст+d0rк£d0r. 3. Выбор подложки.   В качестве материала подложки мы уже выбрали ситалл. Площадь подложки вычисляют из соотношения Sr+Sc+Sk+Sн Sподл=------------------, где Кs Кs-коэффициент использования платы (0.4....0.6); Sr-суммарная площадь, занимаемая резисторами; Sc-общая площадь, занимаемая конденсаторами; Sk-общая площадь, занимаемая контактными площадками; Sн-общая площадь, занимаемая

навесными элементами. Sподл=86.99мм^2. Выбирем подложку 8´10мм. Толщина-0.5мм. 4. Последовательность технологических операций.   1.   Напыление материала резистивной плёнки. 2.   Напыление проводящей плёнки. 3.   Фотолитография резистивного и проводящего слоёв. 4.   Нанесение защитного слоя. 5.   Крепление навесных компонентов. 6.   Крепление подложки в корпусе. 7.   Распайка выводов. 8.  

Герметизация корпуса. Площадки и проводники формируются методом свободной маски. Защитный слой наносится методом фотолитографии. 5. Выбор корпуса ГИС. Для ГИС частного применения в основном используется корпусная защита, предусматриваемая техническими условиями на разработку. Выберем корпус, изготавливаемый из пластмассы. Его выводы закрепляются и герметизируются в процессе литья и прессования. Размеры корпуса (габаритные)

19.5мм´14.5мм, количество выводов–14, из них нам потребуется 10. 6. Оценка надёжности ГИС.   Под надёжностью ИМС понимают свойство микросхем выполнять заданные функции, сохраняя во времени значения установленных эксплуатационных показателей в заданных пределах, соответствующим заданным режимам и условиям использования, хранения и транспортирования. Расчёт надёжности ГИС на этапе их разработки основан на определении

интенсивности отказов-l(t) и вероятности безотказной работы-Р(t) за требуемый промежуток времени. 1. Рассчитаем l по формуле: li=ai*Ki*l0i, где l0i-зависимость от электрического режима и внешних условий, ai=f(T,Kн)-коэффициент, учитывающий влияние окружающей температуры и электрической нагрузки, Кi=K1-коэффициент, учитывающий воздействие механических нагрузок. Воздействие влажности и атмосферного давления не учитываем, т.к. микросхема