Дифференциальный усилитель — страница 2

  • Просмотров 3929
  • Скачиваний 380
  • Размер файла 15
    Кб

менее: 20 КОм. 1. Анализ технического задания.   Гибридные ИМС (ГИС) – это интегральные схемы, в которых применяются плёночные пассивные элементы и навесные элементы (резисторы, конденсаторы, диоды, оптроны, транзисторы), называемые компонентами ГИС. Электрические связи между элементами и компонентами осуществляются с помощью плёночного или проволочного монтажа. Реализация функциональных элементов в виде ГИС экономически

целесообразна при выпуске малыми сериями специализированных вычислительных устройств и другой аппаратуры. Высоких требований к точности элементов в ТЗ нет. Условия эксплуатации изделия нормальные. 2. Выбор материалов, расчёт элементов, выбор навесных компонентов.   В качестве материала подложки выберем ситалл СТ50-1. Транзисторы выберем как навесные компоненты. VT1,VT4-КТ318В, VT2-КТ369А, VT3-КТ354Б. По мощностным параметрам

транзисторы удовлетворяют ТЗ. По габаритным размерам они также подходят для использования в ГИС. Рассчитаем плёночные резисторы. Определим оптимальное сопротивлениеквадрата резистивной плёнки из соотношения: rопт=[(åRi)/(å1/Ri)]^1/2. rопт=3210(Ом/). По полученному значению выбираем в качестве материала резистивной плёнки кермет К-20С. Его параметры: rопт=3000 ОМ/, Р0=2 Вт/см^2, ar=0.5*10^-4 1/°С. В соответствии с соотношением d0rt=ar(Тmax-20°C)

d0rt=0.00325, а допустимая погрешность коэффициента формы для наиболее точного резистора из d0кф= d0r- d0r- d0rt- d0rст- d0rк равно d0кф=2.175. Значит материал кермет К-20С подходит. Оценим форму резисторов по значению Кф из Кфi=Ri/rопт™. Кф1,3,5=1.333, Кф2=0.6, Кф6=1.9, Кф4=0.567. Поскольку все резисторы имеют прямоугольную форму, нет ограничений по площади подложки и точность не высока, выбираем метод свободной маски. По таблице определяем технологические

ограничения на масочный метод: Db=Dl=0.01мм, bтехн=0.1мм, lтехн=0.3мм, аmin=0.3мм, bmin=0.1мм. Рассчитаем каждый из резисторов. Расчётную ширину определяем из bрасч³max(bтехн, bточн,bр), Db+Dl/Кф Р bточн³------------, bр=(--------)^2. d0кф Р0*Кф За ширину резистора-b принимают ближайшее значение к bрасч, округлённое до целого числа, кратного шагу координатной сетки. bр1,3,5=0.375мм, bтехн=0.1мм, bточн=0.8мм, значит b1,3,5=0.8мм. Расчётная длина резистора lрасч=b*Кф. За длину

резистора принимают ближайшее к lрасч, кратное шагу координатной сетки значение. Полная длина напыляемого слоя резистора lполн=l+2*lк. Таким образом lрасч=1.066мм, а lполн=1.466, значит l1,3,5=1.5мм. Рассчитаем площадь, занимаемую резистором S=lполн*b. S1,3,5=1.2мм^2. Аналогичным образом рассчитываем размеры резистора R6. b6=0.7мм, lполн=1.75мм, S=1.225мм^2. Для резисторов, имеющих Кф<1, сначала определяют длину, а затем ширину. Расчётное значение длины