Дифференциальный усилитель

Московский Государственный Авиационный Институт (Технический Университет) Пояснительная записка к курсовому проекту по курсу "Технология аппаратуры САУ". Дифференциальный усилитель. Выполнил студент группы Консультант: / / Принял преподаватель: / / Москва, 1995 год. Содержание: 1.   Техническое задание...............................................3 2.   Анализ технического задания................................6 3.   Выбор материалов, расчет

элементов..................6 4.   Выбор подложки......................................................8 5.   Технологический маршрут.....................................8 6.   Выбор корпуса ГИС................................................8 7.   Оценка надежности.................................................9 8.   Список литературы.................................................11 Задание   на разработку гибридной интегральной микросхемы (ГИС) частного применения. Дифференциальный усилитель. Дифференциальный

усилитель предназначен для усиления сигналов постоянного тока или в качестве усилителя сигналов низкой частоты. Схема электрическая принципиальная:   Смотрите на следующей странице (рисунок 1). Рисунок SEQ Рисунок * ARABIC 1 : Схема электрическая принципиальная Технические требования:   Микросхема должна соответствовать общим техническим требованиям и удовлетворять следующим условиям: –     повышенная предельная

температура +85°С; –     интервал рабочих температур -20°С...+80°С; –     время работы 8000 часов; –     вибрация с частотой до 100 Гц, минимальное ускорение 4G; –     линейное ускорение до 15G. Исходные данные для проектирования: 1.   Технологический процесс разработать для серийного производства с объёмом выпуска – 18000 штук. 2.   Конструкцию ГИС выполнить в соответствии с принципиальной

электрической схемой с применением тонкоплёночной технологии в одном корпусе. 3.   Значения параметров: Позиционное обозначение: Наименование: Количество: Примечание: R1,R3,R5 резистор 4КОм±10% 3 Р=3,4мВт R2 резистор 1,8КОм±10% 1 Р2=5,8мВт R4 резистор 1,7КОм±10% 1 Р4=2,2мВт R6 резистор 5,7ком±10% 1 Р6=2,6мВт VT1,VT4 транзистор КТ318В 2 Р=8мВт VT2 транзистор КТ369А 1 Р=14мВт VT3 транзистор КТ354Б 1 Р=7мВт Напряжение источника питания: 6,3 В±10%. Сопротивление нагрузки не